提高深沟槽填充能力的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高深沟槽填充能力的方法，步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。本发明专利技术能够实现深沟槽填充的完整性。

Method of Improving Filling Capacity of Deep Grooves

The invention discloses a method for improving the filling capacity of deep grooves, step 1, filling in the formed deep grooves; step 2, stopping filling when filling half of the time required for filling the deep grooves; step 3, vertical injection on the deep groove surface; step 4, etching the surface of the injected filling material to increase the opening of the deep groove. Angle; step 5. Continue filling process steps in the deep groove of the re-machined opening to complete groove filling. The invention can realize the integrity of deep groove filling.

【技术实现步骤摘要】
提高深沟槽填充能力的方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种提高深沟槽填充能力的方法。
技术介绍
在现有的半导体加工领域中，经常会遇到深沟槽(高宽比超过5:1)的填充问题。现有的填充技术，不论是化学淀积还是用材料生长的方法进行填充，遇到深宽比大的沟槽，在填充时都会遇到填充不充分或者填充提前封口的现象，导致器件的电性能和可靠性受到影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种提高深沟槽填充能力的方法，能够实现深沟槽填充的完整性。为解决上述技术问题，本专利技术的提高深沟槽填充能力的方法，是采用如下技术方案实现的：步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。本专利技术的方法是基于目前深沟槽填充工艺的特点，提出了一种两步填充的方法，来降低大高宽比的深沟槽填充的难度。具体方案是在填充到深沟槽填充满所需时间的一半左右时，停止进行填充，引入额外的刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高深沟槽填充能力的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。

【技术特征摘要】
1.一种提高深沟槽填充能力的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所述深沟槽是指高宽比大于5:1的沟槽。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所述的深沟槽填充，仅针对沟槽的长宽结构，不限制沟槽的材料和填充材料；既可以是硅材质沟槽，也可以是其他的半导体工艺加工中所用材料的沟槽；填充的材质是正常填充工艺方法中所用的材质，包括外延，多晶硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚亮，王飞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31