The invention discloses a device for preparing solar-grade silicon ingots by metallurgical impurity removal, in which a heat insulation plate is arranged in the furnace body and a driving mechanism is arranged below the partition plate. The rotating axle of the output end of the driving mechanism penetrates the heat insulation plate, and a first positioning plate is arranged at the top, and the bottom of the crucible is placed in the positioning groove of the first positioning plate; the driven sleeve of the furnace cover plate penetrates into the furnace body, and a second one is arranged at the end. The positioning plate, the positioning groove of the lower plate surface of the second positioning plate, is adapted to the top of the crucible; the ventilation tube is extended into the crucible through the driven sleeve and through the second positioning plate. Based on the impurity removal method of the device, the industrial silicon block and slagging agent are mixed, then heated in the crucible, and then stirred with compressed nitrogen to rotate the crucible; refining gas is introduced into the crucible; ventilation and heating are stopped, and the crucible is accelerated until the impurities solidify on the crucible wall. The impurity removal and purification method based on the impurity removal device provided by the invention has the advantages of uniform mixing of industrial silicon and slagging agent, high silicon recovery rate and good purification effect.
【技术实现步骤摘要】
冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置及方法
本专利技术涉及光伏
,具体涉及一种冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置及方法。
技术介绍
随着世界能源日趋短缺及环保意识提高,对太阳能光伏转换电池及其主要材料的需求日趋增加,作为生产太阳能光伏材料的高纯多晶硅(太阳能级硅6N)的纯化技术也引起世界关注。多晶硅成本占据太阳能电池成本的60%。西门子法虽然产品纯度高(11N),但生产设备复杂,效率较低,而且投资巨大、能耗高,并释放含氯气体危及环境。为了克服西门子法的缺陷,研究者们试图用冶金法制备多晶硅。由于预期其具有能耗低、产出率高、建设周期短、投资门槛低(仅为改良西门子法的1/5-1/4)的特点,呈现良好的发展前景。相比西门子法,冶金法的缺点是硅锭中金属杂质和硼(B)、磷(P)、碳(C)等非金属杂质的含量都较高。但现有的一些冶金提纯工业硅操作过程中,存在加工时间长、成本高、硅税回收率低的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:现有的一些冶金提纯工业硅操作过程中,存在加工时间长、成本高、硅税回收率低的问题,本专利技术提供了解决上述问题的冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置及方法。本专利技术通过下述技术方案实现:冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置,包括炉体,所述炉体内设有坩埚,其特征在于,所述炉体内靠近底部设有隔热板,炉体内位于隔热板下方的腔室内设有驱动机构,驱动机构的输出端设有转轴;所述转轴的自由端贯穿隔热板伸入隔热板上方的腔室内、且转轴的自由端设有第一定位板,所述第一定位板的上板面开设有定位槽,坩埚的底部置于定位槽内固定;炉体的盖板上设有从动套管,所述从动套管的轴 ...
【技术保护点】
1.冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置,其特征在于,包括炉体(1),所述炉体(1)内设有坩埚(2),其特征在于,所述炉体(1)内靠近底部设有隔热板(3),炉体(1)内位于隔热板(3)下方的腔室内设有驱动机构(4),驱动机构(4)的输出端设有转轴(5);所述转轴(5)的自由端贯穿隔热板(3)伸入隔热板(3)上方的腔室内、且转轴(5)的自由端设有第一定位板(6),所述第一定位板(6)的上板面开设有定位槽,坩埚(2)的底部置于定位槽内固定;炉体(1)的盖板(7)上设有从动套管(8),所述从动套管(8)的轴向一端贯穿盖板(7)伸入炉体(1)内,且从动套管(8)伸入炉体(1)的端部设有第二定位板(9),所述第二定位板(9)的下板面上开设有与坩埚(2)顶部适配的定位槽;还包括通气管(10),所述通气管(10)经从动套管(8)、贯穿第二定位板(9)伸入坩埚(2)内;所述通气管(10)伸入坩埚(2)底部,且通气管(10)伸入坩埚(2)的端部侧壁上开设有若干通气孔(15);通气管(10)位于炉体(1)外的端部与预混器(19)的输出端连通,所述预混器(19)上设有至少两个输入管路(20);第二定位板(9)上 ...
【技术特征摘要】
1.冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置,其特征在于,包括炉体(1),所述炉体(1)内设有坩埚(2),其特征在于,所述炉体(1)内靠近底部设有隔热板(3),炉体(1)内位于隔热板(3)下方的腔室内设有驱动机构(4),驱动机构(4)的输出端设有转轴(5);所述转轴(5)的自由端贯穿隔热板(3)伸入隔热板(3)上方的腔室内、且转轴(5)的自由端设有第一定位板(6),所述第一定位板(6)的上板面开设有定位槽,坩埚(2)的底部置于定位槽内固定;炉体(1)的盖板(7)上设有从动套管(8),所述从动套管(8)的轴向一端贯穿盖板(7)伸入炉体(1)内,且从动套管(8)伸入炉体(1)的端部设有第二定位板(9),所述第二定位板(9)的下板面上开设有与坩埚(2)顶部适配的定位槽;还包括通气管(10),所述通气管(10)经从动套管(8)、贯穿第二定位板(9)伸入坩埚(2)内;所述通气管(10)伸入坩埚(2)底部,且通气管(10)伸入坩埚(2)的端部侧壁上开设有若干通气孔(15);通气管(10)位于炉体(1)外的端部与预混器(19)的输出端连通,所述预混器(19)上设有至少两个输入管路(20);第二定位板(9)上还设有第一排气管(11),盖板(7)上还设有第二排气管(12);炉体(1)内围绕坩埚(2)设有感应线圈(13)和石墨加热体(14)。2.根据权利要求1所述的冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置及方法,其特征在于,所述转轴(5)与从动套管(8)分别通过轴承(16)与隔热板(3)和盖板(7)连接。3.根据权利要求1所述的冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置及方法,其特征在于,所述盖板(7)与炉体(1)的顶部敞口端通过石墨螺栓可拆卸连接。4.根据权利要求1所述的冶金法除杂制备太阳能级硅锭的装置及方法,其特征在于,所述坩埚(2)的轴向两端侧壁上均凸设有若干定位块(17),若干定位块(17)沿坩埚(2)的周向等间距均匀分布;所述定位槽内壁上凹设有与所述定位块(17)适配的卡槽...
【专利技术属性】
技术研发人员:羊实,庹开正,
申请(专利权)人:成都斯力康科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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