The invention discloses a process and equipment for purifying industrial silicon by refining method. The specific steps are as follows: after crushing the slagging agent, wetting and granulating with water to obtain a particle size of 40-80 meshes and a density of 3.0-3.5 g/cm.
【技术实现步骤摘要】
精炼法提纯工业硅的工艺及设备
本专利技术涉及一种太阳能多晶硅
，具体涉及一种精炼法提纯工业硅的工艺及设备。
技术介绍
相关研究表明，大面积使用太阳能光伏发电电能，能有效减少二氧化碳的排放，减少温室效应，改善地球气候。光伏产业的迅速发展带来了太阳能级硅(SolarGradeSilicon,SOG-Si)的短缺，造成满足光伏产业要求的多晶硅价格不断攀升。目前，太阳能级硅材料没有形成独立的供应系统，大部分来源于电子级硅的废料以及单晶硅的头尾料，远远不能满足太阳能电池产业快速发展的需求，原料供应已成为制约光伏产业发展的瓶颈。商业上，硅通常是在石墨电极的电弧炉中由高纯度的二氧化硅和焦炭反应得到的，这种方法得到的硅纯度至少为95％，被称为工业硅(MetallurgicalGradeSilicon，MG-Si)。但是，要制成太阳能电池，有些杂质元素的含量不能超过1ppmw。为了满足日益增长的对有太阳能级硅的需要，开发一种低成本精炼硅的冶金法已是刻不容缓。其中，造渣精炼是一种相对耗时少，能耗低的冶金级硅提纯技术，对新能源时代太阳能的发展具有重要影响。日本东京大学的L.A.V...
【技术保护点】
1.精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，具体步骤为：步骤A，将造渣剂粉碎后，加水润湿造粒获得粒径为40～80目、密度为3.0～3.5g/cm3、湿度为10～15％的精炼颗粒制剂；步骤B，将硅熔体注入包体内，同时向包体内通入精炼气、加入精炼颗粒制剂，在1450～1550℃温度条件下进行精炼2～8h；步骤C，冷却至室温，进行渣硅分离获得精炼硅。
【技术特征摘要】
1.精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，具体步骤为：步骤A，将造渣剂粉碎后，加水润湿造粒获得粒径为40～80目、密度为3.0～3.5g/cm3、湿度为10～15％的精炼颗粒制剂；步骤B，将硅熔体注入包体内，同时向包体内通入精炼气、加入精炼颗粒制剂，在1450～1550℃温度条件下进行精炼2～8h；步骤C，冷却至室温，进行渣硅分离获得精炼硅。2.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述造渣剂采用BaO、NaO和SiO2的混合物。3.根据权利要求2所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述BaO、NaO和SiO2的配比为2:5:1。4.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤A中，将造渣剂粉碎成粒径为100～120目的粉末后，加入水、水合硅酸镁细粉混合均匀用于造粒；造渣剂与水合硅酸镁细粉的质量配比10:0.3。5.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤B中，造渣剂和硅熔体的质量配比为1:10～1:5。6.根据权利要求1所述的精炼法提纯工业硅的工艺，其特征在于，所述步骤B中精炼气体为空气和氩气混...
【专利技术属性】
技术研发人员：羊实，庹开正，
申请(专利权)人：成都斯力康科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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