一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件及其制备方法，包括透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和电极，透明导电衬底与空穴传输层接触连接，空穴传输层与钙钛矿发光层接触连接，钙钛矿发光层与电子传输层接触连接，所述电极设置在电子传输层上；制备方法包括：透明导电衬底的清洗；空穴传输层的制备；钙钛矿发光层的制备；电子传输层和电极的制备，本发明专利技术的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件及其制备方法，可以有效提高钙钛矿发光层的表面质量，减少针孔缺陷的产生，降低载流子非辐射复合的几率，有效解决传统钙钛矿LED电流密度低、漏电流强等问题，从而提高器件的亮度和发光效率。

A New Perovskite Electroluminescent Device with Luminescent Layer Structure and Its Preparation Method

The invention discloses a novel perovskite electroluminescent device with a luminescent layer structure and a preparation method thereof, including a transparent conductive substrate, a hole transport layer, a perovskite luminescent layer, an electron transport layer and an electrode, a transparent conductive substrate and a hole transport layer are connected in contact, a hole transport layer is connected in contact with a perovskite luminescent layer, and a perovskite luminescent layer is connected in contact with an electron transport layer. The electrodes are arranged on the electron transport layer; the preparation methods include: cleaning of transparent conductive substrates; preparation of hole transport layer; preparation of perovskite luminescent layer; preparation of electron transport layer and electrode. The perovskite electroluminescent device with a novel luminescent layer structure and its preparation method can effectively improve the surface quality of perovskite luminescent layer and reduce pinhole defects. It can effectively solve the problems of low current density and strong leakage current of traditional perovskite LED, thus improving the brightness and luminous efficiency of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件及其制备方法
本专利技术涉及发光器件
，具体涉及一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
用于制作发光二极管的钙钛矿是具有结构通式为ABX3的一种双极性半导体材料，具有储量丰富、成本低廉、吸收系数高、发射光谱窄、带隙合适、荧光寿命长等优点，拥有良好的发光性能，其在发光器件领域的潜在应用已经得到人们的广泛的关注。钙钛矿电致发光二极管（PeLED）在亮度和效率方面已经达到了有机发光二极管在过去二十年里才达到的水平。此外，PeLED的发光层是可以在低温下（小于150°C）旋涂制备，这种简单的工艺极大地降低了PeLED的生产成本。常见的PeLED具有“三明治”的结构，由正负电极、空穴传输层、电子传输层以及发光层组成。决定PeLED性能的关键因素在于发光层的质量。发光层厚度通常在几十个纳米到几个微米之间，在如此微观的尺度下形成厚度均匀、连续致密的发光层薄膜是十分困难的，往往会出现严重的针孔缺陷（钙钛矿晶粒之间的存在的空洞）。因此，提高发光层薄膜的均匀性和致密性，减少针孔缺陷，对于降低短路电流，提高亮度和发光效率，具有重要的意义。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：由下至上，依次包括透明导电衬底（10）、空穴传输层（11）、钙钛矿发光层（12）、电子传输层（13）和电极（14）。

【技术特征摘要】
1.一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：由下至上，依次包括透明导电衬底（10）、空穴传输层（11）、钙钛矿发光层（12）、电子传输层（13）和电极（14）。2.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述钙钛矿发光层（12）为具有绝缘聚合物和导电聚合物的两层结构，厚度为160～220nm；所述绝缘聚合物与电子传输层（13）接触连接，厚度为10～20nm，所述导电聚合物与空穴传输层（11）接触连接，厚度为150～200nm。3.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述透明导电衬底（10）为ITO玻璃或FTO导电玻璃衬底，厚度为1～3mm，电阻为60～150Ω。4.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层（11）的材料为质量分数1.0%～1.3%的PEDOT:PSS水溶液、ZnO、PVK、PolyTPD、TAPC、TCTA、CuSCN或CuI中的一种以上。5.根据权利要求1所述的一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层（13）为TPBI、CBP或TmPyPB，厚度为80～100nm；所述电极（14）的材料为Al、LiF\Al、LiF\Ag、AgNW、In-Ga或碳纳米管中的一种以上，厚度为80～100nm。6.制备权利要求1所述一种新型发光层结构的钙钛矿电致发光器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、透明导电衬底（10）的清洗：对透明导电衬底（10）依次用甲苯、异丙醇和无水乙醇进行超声清洗；步骤2、空穴传输层（11）的制备：采用旋涂法制备空穴传输层（11），然后进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤勇，李宗涛，曹凯，余彬海，宋存江，丁鑫锐，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44