一种单悬梁气体传感器及传感器阵列制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单悬梁气体传感器，包括依次层叠设置的硅衬底、支撑膜、加热电阻、隔离膜和检测电极，该气体传感器呈“T”型，具有基体结构和悬臂结构，在悬臂结构的端部上设有气敏材料。本实用新型专利技术还提供了一种由单悬梁气体传感器组成的传感器阵列。本实用新型专利技术的优点在于，该传感器功耗低、尺寸小、集成度高，生产工艺简单，易于定位，有效提高了生产效率。

A Single Cantilever Gas Sensor and Sensor Array

The utility model discloses a single cantilever gas sensor, which comprises a silicon substrate, a supporting film, a heating resistor, an isolation film and a detection electrode arranged in sequence. The gas sensor is of \T\ type, has a base structure and a cantilever structure, and is equipped with a gas sensing material at the end of the cantilever structure. The utility model also provides a sensor array composed of a single cantilever gas sensor. The utility model has the advantages of low power consumption, small size, high integration, simple production process, easy positioning and effective improvement of production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种单悬梁气体传感器及传感器阵列
本专利技术属于微电子机械系统和气体检测
，具体涉及一种单悬梁气体传感器及传感器阵列。
技术介绍
基于微电子机械系统(MEMS)技术的气体传感器，由于其小尺寸、低功耗、高灵敏度和快速响应等特点，逐步显现出巨大的应用潜力，将有望取代基于传统技术的气体传感器，在物联网、移动端和人工智能等领域广泛应用。而在MEMS气体传感器中，又因采用金属氧化物半导体(MOS)材料的传感器具有广泛的检测范围，在未来的大规模应用中具有更为广阔的市场空间。目前MEMSMOS气体传感器中，主要以基于悬膜式微型加热器的研究居多，该结构的传感器具有较低的功耗，一般可低至20毫瓦，如专利号为201520759054.6的技术专利提供了一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，其具有自下而上依次设置的硅衬底框架、加热膜层、加热电极层和敏感膜层，其中加热膜层包括加热膜区，该加热膜区通过四根悬梁与硅衬底框架连接。又如专利号为CN201520759055.0的技术专利提供了一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，该传感器也包括自下而上依次设置的硅衬底框架、加热膜层、加热电极层和敏感膜层，其中加热膜层包括加热膜区，该加热膜区通过两根悬梁与硅衬底框架连接。这些多悬梁式气体传感器功耗虽然较低，但随着移动端和物联网应用的高速发展，其已不能满足需要。同时多悬梁式气体传感器在制备时，存在工艺复杂、定位困难、效率低下的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于：如何进一步降低悬梁式气体传感器的功耗。本专利技术采用以下技术方案解决上述技术问题：一种单悬梁气体传感器，具有基体结构和悬梁结构，其包括依次层叠设置的如下部分：硅衬底；支撑膜，所述支撑膜为单层氧化硅层与单层氮化硅层形成的复合膜，氧化硅层与氮化硅层依次设置在硅衬底上，且氮化硅层的厚度大于氧化硅层的厚度；其包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接；加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；隔离膜，所述隔离膜为氧化硅膜或氮化硅膜；其包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部和第四基部对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂对应设置形成所述悬梁结构；所述第四悬臂远离基体结构的一端上设有气敏材料。优选地，本专利技术所述的一种单悬梁气体传感器，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的外形均呈矩形。优选地，本专利技术所述的一种单悬梁气体传感器，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的外形均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂及第四悬臂的宽度均逐渐增大。优选地，本专利技术所述的一种单悬梁气体传感器，所述第一悬臂上设有沿第一悬臂长度方向延伸的第一孔。优选地，本专利技术所述的一种单悬梁气体传感器，所述第三悬臂上设有第二孔，所述第二孔沿第三悬臂的长度方向延伸，并与第一孔对应设置。优选地，本专利技术所述的一种单悬梁气体传感器，所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部及第四基部均为矩形；所述第四基部设有第四悬臂的侧边的长度短于第一窗口远离第二悬臂的侧边的长度；或第三窗口远离第四悬臂的侧边的长度长于第二基部设有第二悬臂的侧边的长度。本专利技术还提供了一种传感器阵列，其由多个上述的单悬梁气体传感器阵列组成。本专利技术技术有益效果：本专利技术技术方案采用单悬梁式结构，将有效区设置在悬梁的端部，通过减小有效区面积和降低悬梁数量使得传感器的功耗降至1毫瓦；单悬梁式的传感器尺寸更小、集成度更高，集成度较现有多悬梁式结构提高一个数量级；本专利技术提出的单悬梁气体传感器的制备方法工艺简单、易于定位，有效提高了生产效率，同时也更易于制备具有气质材料的复合结构的气敏材料。附图说明图1为本专利技术实施例所述一种单悬梁气体传感器的结构示意图；图2为图1的爆炸示意图；图3为本专利技术实施例所述的另一种单悬梁气体传感器的爆炸示意图；图4为本专利技术实施例所述的一种传感器阵列的结构示意图。具体实施方式为便于本领域技术人员理解本专利技术技术方案，现结合说明书附图对本专利技术技术方案做进一步的说明。参阅图1及图2，本专利技术提供的一种单悬梁气体传感器，包括硅衬底1、支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4、检测电极5和气敏材料6。该传感器具有基体结构和悬梁结构，一般情况下，所述基体结构呈矩形，所述悬梁结构设置在基体结构一长边的中部，从而形成“T”型单悬梁式结构。其具体结构如下：所述硅衬底1的上、下端面呈矩形。所述支撑膜2用以对整个悬梁结构起支撑作用。其包括呈矩形的第一基部21，所述第一基部21的一长边中部设有向外延伸的第一悬臂22。所述加热电阻3由金属或半导体材料构成，用以为传感器工作提供所需的工作温度。该加热电阻3包括外形呈矩形的第二基部31，所述第二基部31一长边中部设有第二悬臂32，第二基部31与第二悬臂32相对的一侧开设有第一窗口33，所述第二悬臂32上开设有沿第二悬臂32长度方向延伸的第二窗口34，所述第二窗口34与第一窗口31连通。加热电阻3上设有两个第一引线(图中未示出)，所述两个第一引线分别设置在第二基部31背离第二悬臂32的侧边，且位于第一窗口33的两侧上。所述隔离膜4由氮化硅或氧化硅等绝缘介质构成，用以对加热电阻3和检测电极5进行电隔离。其包括呈矩形的第三基部41，所述第三基部41上对应第一引线的位置处分别设有透过孔44，第一引线穿过对应透过孔44后暴露在外；所述第三基部41的一长边中部设有第三悬臂42；且所述隔离膜4的厚度大于所述加热电阻3的厚度；所述检测电极5一般为贵金属材料电极，如金属铂或金。检测电极5包括外形呈矩形的第四基部51，所述第四基部51一长边中部设有第四悬臂52，第四基部51与第四悬臂52相对的一侧开设有第三窗口53，所述第四悬臂52上开设有沿第四悬臂52长度方向延伸并将第四悬臂52分割的第四窗口54，所述第四窗口54与第三窗口53连通。检测电极5上设有两个第二引线(图中未示出)，所述的两个第二引线分别设置在第四基部51背离第三窗口53的侧边，且位于第三窗口53的两侧上。需要注意的是，第四基部51不能够遮挡透过孔44。所述硅衬底1、第一基部21、第二基部31、第三基部41和第四基部51对应设置形成基体结构；第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42及第四悬臂52对应设置形成悬梁结构；所述气敏材料6为纳米尺度下金属氧化物半导体材料构成，如二氧化锡、氧化锌或其他氧化物等。气敏材料6设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单悬梁气体传感器，其特征在于，具有基体结构和悬梁结构，其包括依次层叠设置的如下部分：硅衬底；支撑膜，所述支撑膜为单层氧化硅层与单层氮化硅层形成的复合膜，氧化硅层与氮化硅层依次设置在硅衬底上，且氮化硅层的厚度大于氧化硅层的厚度，其包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接；加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；隔离膜，所述隔离膜为氧化硅膜或氮化硅膜；其包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部和第四基部对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂对应设置形成所述悬梁结构；所述第四悬臂远离基体结构的一端上设有气敏材料。...

【技术特征摘要】
1.一种单悬梁气体传感器，其特征在于，具有基体结构和悬梁结构，其包括依次层叠设置的如下部分：硅衬底；支撑膜，所述支撑膜为单层氧化硅层与单层氮化硅层形成的复合膜，氧化硅层与氮化硅层依次设置在硅衬底上，且氮化硅层的厚度大于氧化硅层的厚度，其包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接；加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；隔离膜，所述隔离膜为氧化硅膜或氮化硅膜；其包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；所述硅衬底、第一基部、第二基部...

【专利技术属性】
技术研发人员：许磊，谢东成，彭书峰，
申请(专利权)人：合肥微纳传感技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34