一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其中阵列基板包括多个像素单元，像素单元划分为透光区域和反射区域，反射区域的阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容；存储电容包括层叠设置在衬底基板一侧的金属层、层间介质层以及反射层，金属层靠近衬底基板设置；设置在存储电容背离衬底基板一侧的公共电极层，反射层与公共电极层连接，金属层与薄膜晶体管的有源层连接。由于反射区域中反射层的设置可以反射环境光，从而降低背光源的功率消耗；同时，金属层和反射层之间形成的存储电容可以存储液晶像素电压，使由漏电流所造成的电压变化量减少，从而可以有效增加液晶像素电位保持能力，提升显示效果。

An array substrate, its preparation method and display device

The present application provides an array substrate and a preparation method and a display device thereof, in which the array substrate comprises a plurality of pixel units, which are divided into a light transmission region and a reflection region. The array substrate of the reflection region includes a substrate substrate, a thin film transistor and a storage capacitor arranged on the substrate, and a storage capacitor includes a metal layer stacked on one side of the substrate. The interlayer dielectric layer and the reflective layer are arranged near the substrate substrate, and the common electrode layer on the side of the storage capacitor departing from the substrate substrate is arranged, the reflective layer is connected with the common electrode layer, and the metal layer is connected with the active layer of the thin film transistor. Because the reflecting layer in the reflecting area can reflect the ambient light, so as to reduce the power consumption of the backlight source; at the same time, the storage capacitance formed between the metal layer and the reflecting layer can store the LCD pixel voltage, which reduces the voltage variation caused by leakage current, thus effectively increasing the LCD pixel potential retention ability and improving the display effect.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
反射式或半透式显示一直是低功耗液晶显示的一种重要技术。一般而言，背光源的耗电量约占总功率消耗的70％～80％，反射式或半透式显示器件可以充分利用环境光源，因此可以节约背光源的功率消耗。另外，对于液晶显示产品而言漏电流的存在导致液晶像素电极的电压无法保持，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术提供及一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以降低能耗并改善显示效果。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元划分为透光区域和反射区域，所述反射区域的阵列基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容，所述存储电容包括层叠设置在所述衬底基板一侧的金属层、层间介质层以及反射层，所述金属层靠近所述衬底基板设置；设置在所述存储电容背离所述衬底基板一侧的公共电极层，所述反射层与所述公共电极层连接，所述金属层与所述薄膜晶体管的有源层连接。可选地，所述薄膜晶体管包括：层叠设置在所述衬底基板一侧的所述有源层、栅极绝缘层、栅极层、所述层间介质层以及源漏金属层，所述有源层靠近所述衬底基板设置；其中，所述栅极层与所述金属层通过同一掩膜形成，所述金属层通过设置在所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层连接。可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述存储电容与所述公共电极层之间的平坦层，所述公共电极层通过设置在所述平坦层上的过孔与所述反射层连接。可选地，所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极层背离所述衬底基板一侧的钝化层和像素电极层，所述像素电极层通过设置在所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管连接。可选地，所述反射层的材质为银。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示装置，所述显示装置包括任一实施例所述的阵列基板。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和存储电容，所述存储电容包括依次形成在所述衬底基板上的金属层、层间介质层以及反射层，所述金属层与所述薄膜晶体管的有源层连接；在所述存储电容背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层，所述反射层与所述公共电极层连接。可选地，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤，包括：在所述衬底基板的一侧依次形成有源层、栅极绝缘层、栅极层、所述层间介质层以及源漏金属层；其中，所述栅极层与所述金属层通过同一掩膜形成；所述金属层通过设置在所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层连接。可选地，在所述存储电容背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层的步骤之前，所述制备方法还包括：在所述存储电容背离所述衬底基板的一侧形成平坦层；所述公共电极层形成在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧，所述公共电极层通过设置在所述平坦层上的过孔与所述反射层连接。可选地，所述制备方法还包括：在所述公共电极层背离所述衬底基板的一侧依次形成钝化层和像素电极层，所述像素电极层通过设置在所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管连接。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其中阵列基板包括多个像素单元，像素单元划分为透光区域和反射区域，反射区域的阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容；存储电容包括层叠设置在衬底基板一侧的金属层、层间介质层以及反射层，金属层靠近衬底基板设置；设置在存储电容背离衬底基板一侧的公共电极层，反射层与公共电极层连接，金属层与薄膜晶体管的有源层连接。由于反射区域中反射层的设置可以反射环境光，从而降低背光源的功率消耗；同时，金属层和反射层之间形成的存储电容可以存储液晶像素电压，使由漏电流所造成的电压变化量减少，从而可以有效增加液晶像素电位保持能力，提升显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本申请一实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图2示出了本申请一实施例提供的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。本申请一实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板可以包括多个像素单元，各像素单元划分为透光区域和反射区域，参照图1，反射区域的阵列基板包括：衬底基板11以及设置在衬底基板11上的薄膜晶体管和存储电容13；存储电容13包括层叠设置在衬底基板11一侧的金属层131、层间介质层132以及反射层133，金属层131靠近衬底基板11设置；设置在存储电容13背离衬底基板11一侧的公共电极层14，反射层133与公共电极层14连接，金属层131与薄膜晶体管的有源层连接。具体的，衬底基板11可以包括玻璃衬底基板、柔性衬底基板等衬底，还可以包括形成在衬底上的遮挡层和缓冲层等。各像素单元的透光区域和反射区域各自所占的比例可根据产品应用属性，通过改变反射层133的大小来调整。由于反射区域中反射层的设置可以反射环境光，从而降低背光源的功率消耗。设置在衬底基板11上的薄膜晶体管的结构可以有多种，例如可以包括层叠设置在衬底基板11上的栅极层、栅极绝缘层、有源层以及源漏金属层，或者包括层叠设置在衬底基板11上的有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层以及源漏金属层，本申请对薄膜晶体管的具体结构不作限定。对于后一种结构的薄膜晶体管对应的阵列基板后续实施例会详细介绍。设置在衬底基板11上的存储电容13的两个极板分别为金属层131和反射层133。液晶像素电容的两个极板电压分别为像素电极的电压和公共电极的电压。为了使存储电容13与液晶像素电容成并联，从而存储液晶像素电容的电压，金属层131可以与薄膜晶体管的有源层连接，反射层133可以与公共电极连接。需要注意的是，金属层131与有源层连接，以及反射层133与公共电极连接的方式有多种，凡是能够使存储电容13存储液晶像素电容电压的连接方式都落在本实施例的保护范围之内。后续会对金属层131与薄膜晶体管的有源层连接，以及反射层133与公共电极连接的具体实现方式进行详细说明。本实施例提供的阵列基板，通过金属层和反射层形成存储电容，该存储电容与液晶像素电容并联，当液晶像素电容由于漏电流的存在而导致电荷流失时，并联的存储电容可以及时为液晶像素电容补充电荷，使液晶像素电容由漏电流所造成的电压变化量减少，从而可以有效增加液晶像素电容的电位保持能力，提升显示效果；另外，由于反射区域中设置的反射层可以反射环境光，可以降低背光源的功率消耗；并且由于液晶像素电容的电位保持能力提升，可以适当降低画面的扫描频率，从而可以进一步降低背光源的功率消耗。其中，公共电极层14可以设置在薄膜晶体管和存储电容13背离衬底基板11的一侧，其材质可以为ITO。在本实施例的一种实现方式中，参照图1，薄膜晶体管可以包括：层叠设置在衬底基板11一侧的有源层121、栅极绝缘层122、栅极层123、层间介质层132以及源漏金属层124，有源层12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元划分为透光区域和反射区域，所述反射区域的阵列基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容，所述存储电容包括层叠设置在所述衬底基板一侧的金属层、层间介质层以及反射层，所述金属层靠近所述衬底基板设置；设置在所述存储电容背离所述衬底基板一侧的公共电极层，所述反射层与所述公共电极层连接，所述金属层与所述薄膜晶体管的有源层连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元划分为透光区域和反射区域，所述反射区域的阵列基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容，所述存储电容包括层叠设置在所述衬底基板一侧的金属层、层间介质层以及反射层，所述金属层靠近所述衬底基板设置；设置在所述存储电容背离所述衬底基板一侧的公共电极层，所述反射层与所述公共电极层连接，所述金属层与所述薄膜晶体管的有源层连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：层叠设置在所述衬底基板一侧的所述有源层、栅极绝缘层、栅极层、所述层间介质层以及源漏金属层，所述有源层靠近所述衬底基板设置；其中，所述栅极层与所述金属层通过同一掩膜形成，所述金属层通过设置在所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述存储电容与所述公共电极层之间的平坦层，所述公共电极层通过设置在所述平坦层上的过孔与所述反射层连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述公共电极层背离所述衬底基板一侧的钝化层和像素电极层，所述像素电极层通过设置在所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管连接。5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层的材质为银。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛进进，史大为，李峰，姚磊，王文涛，徐海峰，杨璐，候林，王金锋，李梅，方业周，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11