甲基氯硅烷放空尾气回收方法以及回收装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及化工技术领域，公开了一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法以及回收装置；甲基氯硅烷放空尾气回收方法包括：回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物；冷凝高沸物；将第一放空尾气通入冷凝后的高沸物；冷凝后的高沸物对第一放空尾气进行吸收。甲基氯硅烷放空尾气回收装置包括：放空尾气输送机构、第一冷凝机构和反应釜，反应釜一端连接于第一冷凝机构，反应釜另一端连接于放空尾气输送机构。本发明专利技术通过回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物；通过冷凝后的高沸物对第一放空尾气进行吸收，将放空尾气中的单体回收率提升至80％，降低废油的产生，解决了现有技术的问题。

Methyl chlorosilane exhaust gas recovery method and recovery device

The invention relates to the technical field of chemical industry, and discloses a methyl chlorosilane exhaust gas recovery method and a recovery device. The methyl chlorosilane exhaust gas recovery method includes: recovery of high boiling substances produced in the synthesis reaction of methyl chlorosilane; condensation of high boiling substances; introduction of the first exhaust gas into high boiling substances after condensation; and absorption of the first exhaust gas by high boiling substances after condensation. The methyl chlorosilane exhaust gas recovery device includes exhaust gas conveying mechanism, first condensation mechanism and reaction kettle. One end of the reaction kettle is connected with the first condensation mechanism, and the other end of the reaction kettle is connected with the exhaust gas conveying mechanism. The invention recovers the high boiling substance produced in the synthesis reaction of methyl chlorosilane, absorbs the first exhaust gas by the high boiling substance after condensation, raises the monomer recovery rate of the exhaust gas to 80%, reduces the production of waste oil, and solves the problems of the existing technology.

【技术实现步骤摘要】
甲基氯硅烷放空尾气回收方法以及回收装置
本专利技术涉及化工
，特别是涉及一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法以及回收装置。
技术介绍
目前，在有机硅生产中，国内外普遍采用氯甲烷与硅粉经过多相催化反应合成工艺来生产(CH3)2SiCl2，简称直接法。在直接法合成(CH3)2SiCl2的工业生产中，有机硅合成(CH3)2SiCl2等产物会夹带大量的原料硅粉及催化剂铜粉以及一些副产物。现阶段有机硅单体放空尾气处理工艺比较单一，在放空尾气之后增加一台换热器，利用换热器回收部分有机硅单体放空尾气，放空尾气不能完全回收。现有技术中的放空尾气中的单体回收率只有30％，回收率低，未回收的放空尾气会产生废油和废酸水，因此，单体回收率低导致资源浪费，废油及废酸水量大容易造成环境污染。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述问题，提供了一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法以及回收装置。为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法，包括：回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物，高沸物指沸点超过70.2℃的液相副产物；冷凝所述高沸物；将第一放空尾气通入冷凝后的所述高沸物；冷凝后的所述高沸物对所述第一放空尾气进行吸收。可选地，上述的的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，还包括：对吸收有所述第一放空尾气的所述高沸物进行解析、分离。可选地，上述的的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，所述高沸物为含有Si-O-Si键或/和Si-CH2-Si键或/和Si-Si键化合物的混合物。可选地，上述的的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，所述冷凝所述高沸物的方法具体为：至少通过两级冷凝对所述高沸物进行降温。可选地，上述的的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，一级冷凝采用循环水作为冷媒，控制所述循环水在换热器内的流速，通过所述换热器对所述高沸物进行初级降温；二级冷凝采用乙二醇作为冷媒，控制所述乙二醇在所述换热器内的流速，通过所述换热器对所述高沸物进行二级降温。第二方面，本专利技术提供了一种用于甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置，包括：放空尾气输送机构、第一冷凝机构和反应釜，所述反应釜一端连接于所述第一冷凝机构，所述反应釜另一端连接于所述放空尾气输送机构；所述放空尾气输送机构用于向所述反应釜内输入第一放空尾气；所述第一冷凝机构用于冷凝高沸物；所述反应釜用于冷凝后的高沸物对所述第一放空尾气进行吸收反应。可选地，上述的用于甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置，还包括：连接于所述反应釜的单体精馏机构；所述单体精馏机构用于对吸收有所述第一放空尾气的所述高沸物进行解析、分离。可选地，上述的用于甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置，包括：收集机构和动力机构，所述收集机构一端连接于所述反应釜，所述收集机构另一端连接于所述动力机构一端，所述动力机构另一端连接于所述单体精馏机构；所述收集机构用于接收吸收有所述第一放空尾气的所述高沸物；所述动力机构用于将吸收有所述第一放空尾气的所述高沸物通入所述单体精馏机构。可选地，上述的用于甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置，所述第一冷凝机构包括一级冷凝器和二级冷凝器，所述二级冷凝器一端连接于所述一级冷凝器，所述二级冷凝器另一端连接于所述反应釜；所述一级冷凝器用于对所述高沸物进行初级降温；所述二级冷凝器用于对所述高沸物进行二级降温。可选地，上述的用于甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置，还包括：与所述第一冷凝机构相连接的高沸物输送机构，所述高沸物输送机构用于向所述第一冷凝机构内输送高沸物。与现有技术相比，本专利技术的优势在于：本专利技术提供了一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法，通过回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物；通过冷凝后的高沸物对第一放空尾气进行吸收，将放空尾气中的单体回收率提升至80％，降低废油的产生，解决了现有技术的问题。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为有机硅单体合成方法的流程图；图2为甲基氯硅烷放空尾气回收方法的流程图；图3为S02对甲基氯硅烷合成反应中产生的主产物和副产物进行分离的方法的流程图；图4为甲基氯硅烷放空尾气回收装置的结构示意图；图5为用于有机硅单体合成的合成系统的结构框图；图6为粗单体塔、脱高塔、高沸塔与单体精馏机构的结构框图；附图中各部件的标记如下：甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置1，放空尾气输送机构11，放空缓冲罐111，第一冷凝机构12，一级冷凝器121，二级冷凝器122，反应釜13，单体精馏机构14，脱低塔141，一甲塔142，轻分塔143，含氢塔144，共沸塔145，三甲塔146，收集机构15，动力机构16，甲基氯硅烷合成装置2，流化床21，旋风分离器22，第一回收机构23，第二回收机构24，洗涤塔25，粗单体塔26，脱高塔27，高沸塔28，氯甲烷塔29，第二冷凝机构30，高沸物输送机构31。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本专利技术，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。如图1所示，一种有机硅单体合成方法，包括：S01，采用硅粉、氯甲烷作为反应物，铜粉作为催化剂，进行甲基氯硅烷合成反应，高沸物指沸点超过70.2℃的液相副产物；S02，对甲基氯硅烷合成反应中产生的主产物甲基氯硅烷和副产物进行分离，主产物甲基氯硅烷和副产物统称粗甲基氯硅烷；S03，将从所述副产物中分离出的第一放空尾气与分离出的高沸物进行甲基氯硅烷放空尾气回收方法的反应。现有技术中的放空尾气中的单体回收率只有30％，回收率低，未回收的放空尾气会产生废油和废酸水，因此，为了解决上述问题，如图2所示，本专利技术提供了一种S03中涉及到的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，包括：S031，回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物；S032，冷凝高沸物；S033，将第一放空尾气通入冷凝后的高沸物；S034，冷凝后的高沸物对第一放空尾气进行吸收。本专利技术通过冷凝后的高沸物对第一放空尾气进行吸收，将放空尾气中的单体回收率提升至80％，降低废油的产生，解决了现有技术的问题。为了对吸收有放空尾气的高沸物进行资源循环利用，因此本申请还包括：S035，对吸收有第一放空尾气的高沸物进行解析、分离。本申请通过S035解吸分离出多种单体，然后将分离出的单体进行循环利用。本申请的高沸物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法，其特征在于，包括：回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物，高沸物指沸点超过70.2℃的液相副产物；冷凝所述高沸物；将第一放空尾气通入冷凝后的所述高沸物；冷凝后的所述高沸物对所述第一放空尾气进行吸收。

【技术特征摘要】
1.一种甲基氯硅烷放空尾气回收方法，其特征在于，包括：回收甲基氯硅烷合成反应中产生的高沸物，高沸物指沸点超过70.2℃的液相副产物；冷凝所述高沸物；将第一放空尾气通入冷凝后的所述高沸物；冷凝后的所述高沸物对所述第一放空尾气进行吸收。2.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，其特征在于，还包括：对吸收有所述第一放空尾气的所述高沸物进行解析、分离。3.根据权利要求1或2所述的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，其特征在于，所述高沸物为含有Si-O-Si键或/和Si-CH2-Si键或/和Si-Si键化合物的混合物。4.根据权利要求1或2所述的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，其特征在于，所述冷凝所述高沸物的方法具体为：至少通过两级冷凝对所述高沸物进行降温。5.根据权利要求4所述的甲基氯硅烷放空尾气回收方法，其特征在于，一级冷凝采用循环水作为冷媒，控制所述循环水在换热器内的流速，通过所述换热器对所述高沸物进行初级降温；二级冷凝采用乙二醇作为冷媒，控制所述乙二醇在所述换热器内的流速，通过所述换热器对所述高沸物进行二级降温。6.一种用于权利要求1-5任意一项所述的甲基氯硅烷放空尾气回收的回收装置，其特征在于，包括：放空尾气输送机构、第一冷凝机构和反应釜，所述反应釜一端连接于所述第一冷凝机构，所述反应釜另一端连接于所述放空尾气输送机构；所述放空尾气输送机构用...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹华俊，裴智玮，彭金鑫，罗燚，张寅旭，程刘备，
申请(专利权)人：合盛硅业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33