一种酞菁类光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光电探测技术领域，具体公开一种酞菁类光电探测器及其制备方法。本发明专利技术的酞菁类光电探测器依次包括绝缘衬底层、酞菁膜层以及金属电极层，金属电极层包括相互独立的第一金属电极层和第二金属电极层，第一金属电极层、第二金属电极层与酞菁膜层三者形成金属‑半导体‑金属结构。本发明专利技术酞菁类光电探测器的制备方法包括将酞菁溶液滴加到绝缘衬底上，进行旋涂、干燥，在绝缘衬底层上得到酞菁膜层；再将掩膜版覆盖在所述酞菁膜层上，热蒸发蒸镀金属电极，得到酞菁类光电探测器。

【技术实现步骤摘要】
一种酞菁类光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及光电探测
，特别涉及一种酞菁类光电探测器及其制备方法。
技术介绍
酞菁具有较高的化学稳定性和热稳定性,它耐酸，耐碱，耐水浸，而且具有独特的光、电、声、热、磁、化学等性质，受到了人们广泛的关注。酞菁是一个大环化合物，中心腔内的两个氢原子可以被多种金属和非金属原子取代，酞菁的苯环上可以引入多种取代基，从而达到对酞菁分子的改性作用。目前酞菁己被广泛的应用于化学传感器、太阳能电池、光催化剂、光限幅材料等各种新型功能材料中。红外探测器是红外技术中最重要的应用之一，其中红外成像、红外制导、红外预警等在现代战争和未来战争中都是必不可少的战术和战略手段。而红外探测器材料又是影响红外探测器性能的直接因素，红外材料的发展可直接影响红外探测器的性能。目前实用化红外探测器主要是碲镉汞为主的无机材料，这些材料存在的问题是：制备成本高、工艺复杂、不能在廉价基片尤其是在硅衬底及金属电极上制备，从而限制其应用。区别于无机半导材料，有机半导体材料相对于无机半导体材料，具有价廉质轻、溶解性好、易加工成大面积柔性器件和通过分子剪裁调控光电性能的优势。有机半导体材料作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种酞菁类光电探测器，其特征在于，所述酞菁类光电探测器依次包括绝缘衬底层、酞菁膜层以及金属电极层，所述金属电极层包括相互独立的第一金属电极层和第二金属电极层，所述第一金属电极层、所述第二金属电极层与所述酞菁膜层形成金属‑半导体‑金属结构。

【技术特征摘要】
1.一种酞菁类光电探测器，其特征在于，所述酞菁类光电探测器依次包括绝缘衬底层、酞菁膜层以及金属电极层，所述金属电极层包括相互独立的第一金属电极层和第二金属电极层，所述第一金属电极层、所述第二金属电极层与所述酞菁膜层形成金属-半导体-金属结构。2.一种如权利要求1所述的酞菁类光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底层的厚度为100μm～1000μm；所述酞菁膜层的厚度为50μm～1000μm；所述金属电极层的厚度为10nm～1000nm。3.一种如权利要求1所述的酞菁类光电探测器，其特征在于，所述酞菁类光电探测器还包括密封层，所述密封层通过在所述金属电极层的表面涂硅胶或者环氧树脂获得；所述密封层的厚度为100μm～2000μm。4.一种如权利要求1所述的酞菁类光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：S1、将酞菁溶液滴加到绝缘衬底上，进行旋涂、干燥，在绝缘衬底层上得到酞菁膜层；S2、将掩膜版覆盖在所述酞菁膜层上，热蒸发蒸镀金属电极，得到所述酞菁类光电探测器。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭劲，王春锐，王挺峰，邵俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22