一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池制造技术

技术编号:19484233 阅读:160 留言:0更新日期:2018-11-17 11:05
本发明专利技术是一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,包括下透明电极层与上电极层,在下透明电极层与上电极层之间夹有五层功能层,五层功能层由下到上依次为空穴传输层、PVA界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层以及缓冲层,所述空穴传输层、PVA界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层均通过低温溶液法制备成膜。本发明专利技术采用低温溶液法制备薄膜,合理控制工艺条件,在PEDOT:PSS层与钙钛矿层间加入PVA修饰层,有效改善了钙钛矿表面浸润性,提高了空穴传输效率,制得了连续均匀地钙钛矿薄膜,提高了钙钛矿吸收层的质量,制得的钙钛矿太阳能电池光电转换效率高,稳定性好。

【技术实现步骤摘要】
一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池
本专利技术属于太阳能电池领域,具体的说是涉及一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着重工业的日益发达,煤炭石油等不可再生资源频频告急,能源问题日益成为国际社会经济发展的瓶颈,加之对不可再生资源的不当使用,环境问题愈发严重,人类生存受到极大威胁;太阳能等环保可再生资源日益受到人类关注,太阳能电池是人类社会应对能源枯竭危机、解决环境污染问题的重要途径。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置,又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,它只要被光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。但是钙钛矿薄膜太阳能电池由于其薄膜厚度、材料特征以及制备工艺的限制,其厚度通常在几百纳米左右,在一定程度上制约了其对可见光的吸收,制约了其电流密度的提高。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,该电池在传统的钙钛矿太阳能电池活性层与空穴传输层间引入了一层PVA修饰层,目的是改善PEDOT:PSS表面浸润性,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,包括下透明电极层与上电极层,其特征在于:在下透明电极层与上电极层之间夹有五层功能层,五层功能层由下到上依次为空穴传输层、PVA界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层以及缓冲层,所述空穴传输层、PVA界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层均通过低温溶液法制备成膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,包括下透明电极层与上电极层,其特征在于:在下透明电极层与上电极层之间夹有五层功能层,五层功能层由下到上依次为空穴传输层、PVA界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层以及缓冲层,所述空穴传输层、PVA界面修饰层、钙钛矿活性层、电子传输层均通过低温溶液法制备成膜。2.根据权利要求1所述一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述下透明电极层包括氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化锡、银纳米线、碳纳米管或石墨烯。3.根据权利要求1所述一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层为PEDOT:PSS,所述空穴传输层厚度为30纳米到40纳米。4.根据权利要求1所述一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述界面修饰层为PVA,所述界面修饰层的厚度为2-10纳米,以900rpm下旋涂15s,4000rpm下旋涂25s两步连续旋涂,手套箱环境下100℃退火10分钟成膜。5.根据权利要求1所述一种基于PVA修饰空穴传输层的钙钛...

【专利技术属性】
技术研发人员:闵永刚刘泽崔岱麒邓云恺唐亚楠
申请(专利权)人:南京邮电大学
类型:发明
国别省市:江苏,32

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