本发明专利技术提供了一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其可以在晶圆的切割工序中保护晶圆表面避免划伤，提高了产品良率，降低品质风险和不良报废率，包括以下步骤：将尺寸与晶圆相适应的塑料环贴附在Non‑UV膜上；将晶圆的正面朝上贴装在塑料环内侧，晶圆的背面与Non‑UV膜接触贴合;通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶；将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化；将步骤4得到的晶圆进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶，同时还提供了一种表面敏感晶圆的保护结构。
【技术实现步骤摘要】
一种表面敏感晶圆的切割保护工艺以及保护结构
本专利技术涉及半导体晶圆切割工艺，具体为一种表面敏感晶圆的切割保护工艺以及保护结构。
技术介绍
现有技术中采用刀片切割工艺在切割表面敏感晶圆时，需要比较大的水流来冷却刀片。水流带走热量的同时，会将切割的碎屑和刀片上掉落的金刚石颗粒带走。然而含有碎屑和颗粒的水流冲击在晶圆表面上，易产生表面细微划伤，这种划痕对于表面敏感元器件将直接会影响产品的主要性能。由于水流冲洗造成划伤的随机性，这些划伤缺陷在晶圆上的分布也是不确定的，需要高倍镜下才能被发现，然而在高倍镜下检查的效率低下，严重降低生产效率。若正常在流则要到最后一个工序才能发现划伤是否影响芯片性能，造成相关产品良率低下，品质风险高，不良报废率高。
技术实现思路
针对现有技术中无法在表面敏感晶圆的切割工序中保护好晶圆表面的问题，本专利技术提供了一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其可以在晶圆的切割工序中保护晶圆表面避免划伤，提高了产品良率，降低品质风险和不良报废率，同时还提供了一种表面敏感晶圆的保护结构。其技术方案是这样的：一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将尺寸与晶圆相适应的塑料环贴附在Non-UV膜上；步骤2：将晶圆的正面朝上贴装在塑料环内侧，晶圆的背面与Non-UV膜接触贴合;步骤3：通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶；步骤4：将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化；步骤5：将步骤4得到的晶圆进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；步骤6：将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶。进一步的，在步骤1中，通过滚轮压力的使得塑料环与Non-UV膜压合,滚轮压力通过气压控制，气压范围为：0.2Mpa~0.5Mpa。进一步的，在步骤2中，均胶清洗机的平台转速为10000转/每分钟~45000转/每分钟，每片晶圆使用的光刻胶用量为1ml~4ml,形成的胶层厚度为1µm~20µm。进一步的，在步骤4中，烘箱的烘烤温度在40℃~130℃，烘烤时间为20min-40min。进一步的，在步骤6中，曝光时间为10min~25min。进一步的，在步骤6中，均胶清洗机的平台转速为1000转/每分钟~5000转/每分钟，使用的清洗液为异丙醇和去离子水组合进行清洗。一种表面敏感晶圆的保护结构，其特征在于：包括贴覆在晶圆背面的Non-UV膜层，所述Non-UV膜层的外侧设有塑料环，所述塑料环贴装在所述Non-UV膜层上，晶圆的正面涂覆有光刻胶层。采用本专利技术的表面敏感晶圆的切割保护工艺和保护结构后，切割晶圆时，晶圆的正面覆盖有光刻胶，晶圆的背面贴覆有带塑料环的Non-UV膜，其可以在切割工艺中保护晶圆的表面，避免含有碎屑和颗粒的水流冲击在晶圆表面上产生划伤，在切割工艺后去除晶片正面的光刻胶，光刻胶易溶于有机物，可以将晶圆表面完全清洗干，光刻胶清除方便彻底，也不会影响后序芯片的生产和使用，晶片背面带塑料环的Non-UV膜保留到后序工序，可以起到固定和承载芯片的左后，在后序芯片的拾取工序中起到辅助作用。附图说明图1为本专利技术的表面敏感晶圆的切割保护工艺的流程示意图。具体实施方式见图1，本专利技术的一种表面敏感晶圆的保护结构，其特征在于：包括贴覆在晶圆1背面的Non-UV膜层3，Non-UV膜层3的外侧设有塑料环2，塑料环2贴装在Non-UV膜层3上，晶圆1的正面涂覆有光刻胶层4。实施例1：见图1，本专利技术的一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，包括以下步骤：步骤1：将尺寸与晶圆1相适应的塑料环2贴附在Non-UV膜3上，通过滚轮压力的使得塑料环与Non-UV膜压合,滚轮压力通过气压控制，气压范围为：0.2Mpa；步骤2：将晶圆1的正面朝上贴装在塑料环2内侧，晶圆1的背面与Non-UV膜3接触贴合，均胶清洗机的平台转速为10000转/每分钟，每片晶圆使用的光刻胶用量为1ml,形成的胶层厚度为1µm；步骤3：通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶，光刻胶过通导管滴到正在旋转的晶圆表面上，在高速旋转力的作用下，光刻胶均匀涂覆在晶圆表面；步骤4：将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化，烘箱的烘烤温度在40℃，烘烤时间为40min；步骤5：将步骤4得到的晶圆通过金刚石刀片进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；步骤6：将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光时间为10min，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶，均胶清洗机的平台转速为1000转/每分钟，使用的清洗液为异丙醇和去离子水组合进行清洗。实施例2：本专利技术的一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，包括以下步骤：步骤1：将尺寸与晶圆1相适应的塑料环2贴附在Non-UV膜3上，通过滚轮压力的使得塑料环与Non-UV膜压合,滚轮压力通过气压控制，气压范围为：0.5Mpa；步骤2：将晶圆1的正面朝上贴装在塑料环2内侧，晶圆1的背面与Non-UV膜3接触贴合，均胶清洗机的平台转速为45000转/每分钟，每片晶圆使用的光刻胶用量为4ml,形成的胶层厚度为20µm；步骤3：通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶，光刻胶过通导管滴到正在旋转的晶圆表面上，在高速旋转力的作用下，光刻胶均匀涂覆在晶圆表面；步骤4：将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化，烘箱的烘烤温度在130℃，烘烤时间为20min；步骤5：将步骤4得到的晶圆通过金刚石刀片进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；步骤6：将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光时间为25min，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶，均胶清洗机的平台转速为5000转/每分钟，使用的清洗液为异丙醇和去离子水组合进行清洗。实施例3：本专利技术的一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，包括以下步骤：步骤1：将尺寸与晶圆1相适应的塑料环2贴附在Non-UV膜3上，通过滚轮压力的使得塑料环与Non-UV膜压合,滚轮压力通过气压控制，气压范围为：0.3Mpa；步骤2：将晶圆1的正面朝上贴装在塑料环2内侧，晶圆1的背面与Non-UV膜3接触贴合，均胶清洗机的平台转速为45000转/每分钟，每片晶圆使用的光刻胶用量为2ml,形成的胶层厚度为10µm；步骤3：通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶，光刻胶过通导管滴到正在旋转的晶圆表面上，在高速旋转力的作用下，光刻胶均匀涂覆在晶圆表面；步骤4：将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化，烘箱的烘烤温度在90℃，烘烤时间为30min；步骤5：将步骤4得到的晶圆通过金刚石刀片进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；步骤6：将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光时间为20min，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶，均胶清洗机的平台转速为3000转/每分钟，使用的清洗液为异丙醇和去离子水组合进行清洗。采用本专利技术的表面敏感晶圆的切割保护工艺和保护结构后，切割晶圆时，晶圆的正面覆盖有光刻胶，晶圆的背面贴覆有带塑料环的Non-UV膜，其可以在切割工艺中保本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将尺寸与晶圆相适应的塑料环贴附在Non‑UV膜上；步骤2：将晶圆的正面朝上贴装在塑料环内侧，晶圆的背面与Non‑UV膜接触贴合；步骤3：通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶；步骤4：将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化；步骤5：将步骤4得到的晶圆进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；步骤6：将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶。
【技术特征摘要】
1.一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将尺寸与晶圆相适应的塑料环贴附在Non-UV膜上；步骤2：将晶圆的正面朝上贴装在塑料环内侧，晶圆的背面与Non-UV膜接触贴合；步骤3：通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶；步骤4：将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干，使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化；步骤5：将步骤4得到的晶圆进行切割，完成晶圆上的晶片之间的分离；步骤6：将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光，曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗，去除去光刻胶。2.根据权利要求1所述的一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其特征在于：在步骤1中，通过滚轮压力的使得塑料环与Non-UV膜压合,其压力是通过气压控制的，气压范围为：0.2Mpa~0.5Mpa。3.根据权利要求1所述的一种表面敏感晶圆的切割保护工艺，其特征在于：在步骤2中...
【专利技术属性】
技术研发人员：任傲傲，章峰，
申请(专利权)人：全讯射频科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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