导电多晶硅触点的扩散生成设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，氮气通入装置中设有与晶圆盒连通的进气管道及与进气管道连接的气动调节阀，气体排出装置中设有与晶圆盒连通的排气管道，排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。本实用新型专利技术使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
导电多晶硅触点的扩散生成设备
本技术属于半导体集成电路制造领域，具体涉及导电多晶硅触点的扩散生成设备。
技术介绍
随着科技的发展，对微电子技术的要求越来越高，微电子存储器面积的不断缩小，对半导体制造工艺的精密程度要求和精确程度要求也越来越高。在集成电路中多晶硅应用于动态随机存取存储器(DRAM)器件结构中位线接触和存储节点接触，随着集成电路的尺寸微缩，多晶硅的导线接触电阻要求越来越高，对硬件和制程控制的要求也越来越高。多晶硅的接触电阻主要受到底层硅的自然氧化层厚度的影响。自然氧化层的厚度主要取决于晶圆所处环境的氧含量和水汽含量以及时间，环境中氧含量越高，时间越长，自然氧化层厚度越厚，水汽含量越高越能够促进自然氧化层的发生。扩散炉管是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备。主要反应装置一般分为水平式和直立式两种，半导体材料在高纯净的反应腔内进行高温反应，此过程一般需要通入不同种类的气体或对腔体进行抽真空处理。整个生产过程中，生产设备需要纯净、轻便、耐高温，现有的晶圆氧化炉一般为直通式进气口。目前的炉管设备在晶圆盒缓存区没有氮气气体保护和监控，是整个自然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，所述扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，其特征在于，所述气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，所述晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，所述氮气通入装置中设有与所述晶圆盒连通的进气管道及与所述进气管道连接的气动调节阀，所述气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。

【技术特征摘要】
1.一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，所述扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，其特征在于，所述气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，所述晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，所述氮气通入装置中设有与所述晶圆盒连通的进气管道及与所述进气管道连接的气动调节阀，所述气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。2.根据权利要求1所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，在所述进气管道上设有质量流量控制器或流量计。3.根据权利要求1所述的导电多晶硅触点的扩散生成设备，其特征在于，在所述排气管道上设有分支排气管道，在所述分支排气管道上连通有...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏付，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34