高导热有机基板制造技术

一种高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺‑氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm。上述高导热有机基板，不仅具有普通有机基板的属性，而且由于采用高导热介电层作为支撑层，具有优异的散热能力，所得产品具有高的导热性能，能够作为电子器件芯片的封装基板使用。

【技术实现步骤摘要】
高导热有机基板
本技术涉及一种高导热有机基板。
技术介绍
随着后摩尔时代的到来，三维集成技术由传统的二维集成向2.5维或更高级的三维集成方向发展。随之带来的热量聚集问题已经成为阻碍三维集成器件发展的首要问题。依照阿雷纽斯法则，电子器件温度每升高10℃，其寿命会降低一半。电子封装基板是电子封装系统中的重要组成部分。基板的作用是搭载、固定电子元器件，利用其表面或内部形成的电路图形，进行电路连接，同时兼有绝缘、导热隔离及保护元器件的作用。有机基板以其优异的加工性能、低成本、和优异的力学性能已经成为电子器件首选的基板材料。传统的有机基板的导热系数大多低于1.0Wm-1K-1，导热系数较低。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供了一种导热性能较好的高导热有机基板。一种高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm。在其中一个实施例中，所述第一铜箔层为电解铜箔层或压延铜箔层。在其中一个实施例中，所述第二铜箔层为电解铜箔层或压延铜箔层。在其中一个实施例中，所述第一铜箔层的厚度为12μm～35μm。在其中一个实施例中，所述第二铜箔层的厚度为12μm～35μm。在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化硼的复合物层。在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化铝的复合物层。在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和三氧化二铝的复合物层。在其中一个实施例中，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和碳化硅的复合物层。上述高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，不仅具有普通有机基板的属性，而且由于采用高导热介电层作为支撑层，具有优异的散热能力，所得产品具有高的导热性能，能够作为电子器件芯片的封装基板使用。附图说明图1为一实施方式的高导热有机基板的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清晰，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1，一实施方式的高导热有机基板100，包括依次层叠的第一铜箔层10、高导热介电层20和第二铜箔层30。第一铜箔层10的厚度为12μm～35μm。第一铜箔层10为电解铜箔层或压延铜箔层。高导热介电层20的厚度为20μm～80μm。高导热介电层20的导热系数为0.5Wm-1K-1～3Wm-1K-1。高导热介电层20为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和导热填料的复合物层。导热填料为氮化硼、氮化铝、三氧化二铝或碳化硅。即，高导热介电层20可以为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化硼的复合物层、双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化铝的复合物层、双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和三氧化二铝的复合物层或双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和碳化硅的复合物层。第二铜箔层30的厚度为12μm～35μm。第二铜箔层30为电解铜箔层或压延铜箔层。上述高导热有机基板100的制作方法如下：S10、将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和导热填料在有机溶剂中分散形成液体分散体，接着使用涂覆设备将该液体分散体涂覆在铜箔的一个表面，在铜箔的一个表面形成高导热介电层。S20、将上述涂覆有高导热介电层的铜箔放入干燥箱中，在80℃～200℃加热5分钟～30分钟，除去有机溶剂并使高导热介电层快速半固化。S30、在150℃～200℃下，将两张表面涂覆有高导热介电层的铜箔的高导热介电层层叠接触压合，并将其在150℃～250℃下进行后固化，得到高导热有机基板100。上述高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，不仅具有普通有机基板的属性，而且由于采用高导热介电层作为支撑层，具有优异的散热能力，所得产品具有高的导热性能，能够作为电子器件芯片的封装基板使用。下面为具体实施例部分。实施例1一种高导热有机基板包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层。其中高导热介电层厚度为20μm，导热系数为3Wm-1K-1。高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化铝的复合物层。第一铜箔层和第二铜箔层为电解铜箔层，第一铜箔层和第二铜箔层的厚度均为12μm。实施例2一种高导热有机基板包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层。其中高导热介电层厚度为80μm，导热系数为0.5Wm-1K-1。高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化硼的复合物层。第一铜箔层和第二铜箔层为压延铜箔，第一铜箔层和第二铜箔层的厚度均为35μm。实施例3一种高导热有机基板包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层。其中高导热介电层厚度为33μm，导热系数为1.0Wm-1K-1。高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和三氧化二铝的复合物层。第一铜箔层和第二铜箔层为电解铜箔，第一铜箔层和第二铜箔层的厚度均为35μm。实施例4一种高导热有机基板包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层。其中高导热介电层厚度为50μm，导热系数为2.0Wm-1K-1。高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和氮化硼的复合物层。第一铜箔层和第二铜箔层为压延铜箔，第一铜箔层和第二铜箔层的厚度均为18μm。实施例5一种高导热有机基板包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层。其中高导热介电层厚度为35μm，导热系数为2.5Wm-1K-1。高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和碳化硅的复合物层。第一铜箔层和第二铜箔层为电解铜箔，第一铜箔层和第二铜箔层的厚度均为18μm。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高导热有机基板，其特征在于，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺‑氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm，所述第一铜箔层的厚度为12μm～35μm，所述第二铜箔层的厚度为12μm～35μm。

【技术特征摘要】
1.一种高导热有机基板，其特征在于，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺-氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm，所述第一铜箔层的厚度为12μm～35μm，所述第二铜箔层的厚度为12μm～35μm。2.如权利要求1所述的高导热有机基板，其特征在于，所述第一铜箔层为电解铜箔层或压延铜箔层。3.如权利要求1所述的高导热有机基板，其特征在于，所述第二铜箔层为电解铜箔层或压延铜箔...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾小亮，孙蓉，么依民，许建斌，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44