一种发光二极管外延片的制备方法技术

技术编号:19906772 阅读:29 留言:0更新日期:2018-12-26 03:57
本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片的制备方法,属于发光二极管制造领域。在将衬底放入有机化学气相沉积设备的转盘内时,弓形的圆边表面的弦的中点与转动轴之间的距离,大于为弓形的圆边表面的弧的中点与转动轴之间的距离,这种设置使得衬底的平边表面朝向远离转盘的转动轴的一侧。此时在托盘的离心力的作用下,衬底的圆边表面部分会向背离平边表面的方向移动,在圆边表面上的外延层的外围部分与圆形凹槽的侧壁之间的摩擦减小,使得该部分的外延层的温度不会过高,保证所述外围部分中InGaN阱层中的In不会过分流失,圆边表面上生长的外延层的中心部分与外围部分发出的光波的波长长度相差不会过大,进而保证了发光二极管的发光均匀度。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片的制备方法
本专利技术涉及发光二极管制造领域,特别涉及一种发光二极管外延片的制备方法。
技术介绍
发光二极管是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管,具有体积小、寿命长、功耗低等优点,目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。外延片是制作发光二极管的基础结构,外延片的结构包括衬底及在衬底上生长出的外延层。目前通常使用金属有机化合物化学气相沉积(英文:Metal-organicChemicalVaporDeposition,简称:MOCVD)设备进行外延片的生长,MOCVD设备包括反应腔、以及放置在反应腔内的转盘和转动轴。图1为转盘的结构示意图,图2为转盘和转动轴的组合结构示意图,参见图1与图2,转盘A的第一表面上设置有用于放置衬底1的圆形凹槽a,转盘A的第二表面上安装有转动轴B,转动轴B的轴线与转盘A的第二表面垂直,转盘A的第二表面为与转盘A的第一表面相反的表面。在进行外延片的生长时,将衬底1放置在转盘的圆形凹槽a内,驱动转动轴B转动,转动轴B带动转盘A转动,同时向反应腔内通入外延生长的反应物,使得反应物在衬底1上沉积,形成外延片。外延片包括衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片的制备方法,所述制备方法包括:提供一衬底,所述衬底包括平边表面与圆边表面,所述圆边表面为弧大于半圆的弓形,所述平边表面为垂直于所述圆边表面的矩形,所述矩形的一条边与所述弓形的弦重合;将所述衬底放置在金属有机化合物化学气相沉积设备MOCVD内,所述MOCVD设备包括反应腔、以及放置在所述反应腔内的转盘和转动轴,所述转盘的第一表面上设置有用于放置所述衬底的圆形凹槽,所述转盘的第二表面上安装有所述转动轴,所述转动轴的轴线与所述转盘的第二表面垂直,所述转盘的第二表面为与所述转盘的第一表面相反的表面;在所述衬底上生长外延层;其特征在于,所述弓形的弦的中点与所述转动轴之间的距离,大...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片的制备方法,所述制备方法包括:提供一衬底,所述衬底包括平边表面与圆边表面,所述圆边表面为弧大于半圆的弓形,所述平边表面为垂直于所述圆边表面的矩形,所述矩形的一条边与所述弓形的弦重合;将所述衬底放置在金属有机化合物化学气相沉积设备MOCVD内,所述MOCVD设备包括反应腔、以及放置在所述反应腔内的转盘和转动轴,所述转盘的第一表面上设置有用于放置所述衬底的圆形凹槽,所述转盘的第二表面上安装有所述转动轴,所述转动轴的轴线与所述转盘的第二表面垂直,所述转盘的第二表面为与所述转盘的第一表面相反的表面;在所述衬底上生长外延层;其特征在于,所述弓形的弦的中点与所述转动轴之间的距离,大于所述弓形的弧的中点与所述转动轴之间的距离。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述圆边表面的圆心到所述平边表面的垂线,与所述圆形凹槽的圆心与所述转动轴的轴心的连线之间的夹角为20°~60°。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述圆边表面的圆心到所述平边表面的垂线,与所述圆形凹槽的圆心与所述转动轴的轴心的连线之间的夹角为20°~40°。4.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述圆边表面的圆心到所述平边表面的垂线,偏离所述圆形凹槽的圆心与所述转动轴的轴心的连线的方向与所述转盘的转...

【专利技术属性】
技术研发人员:从颖姚振胡加辉李鹏
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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