铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备制造技术

技术编号:19906271 阅读:90 留言:0更新日期:2018-12-26 03:47
本实用新型专利技术公开了一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备。该铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备在主反应区内每个加热器上分别设置有温度传感器,可反馈加热器的温度,这样就可通过温度传感器和加热器来调控主反应区内的温度,同时主反应区末端设置有荧光光谱仪可反馈硫化镉薄膜的厚度,从而调节产生的硫化镉薄膜的厚度,同时腔门能够打开便于调整,主反应区前端的风机可以防止溶液逆流出主反应区,设备整体分上下部分环绕设计可以减小设备占地面积,且通过该设备镀膜、冲洗、风干一体化,使铜铟镓硒薄膜太阳能电池卷进去到出来就可以直接给到下一个工序,节省了很多的时间,有利于提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备
本技术涉及太阳能电池
,尤其涉及一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备。
技术介绍
随着全球气候变暖、生态环境恶化和常规能源的短缺,太阳能已成为各国可持续发展的重要战略决策。太阳能电池就是一种将太阳能转化成电能的装置,具备超过电能、风能等资源的能源,而有希望成为未来电力行业的重要支柱。太阳能电池主要分为硅太阳能电池、化合物半导体薄膜电池、有机聚合物电池、有机薄膜电池等。其中,铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池属于半导体薄膜电池,由于铜铟镓硒具备直接带隙结构,并且具有较高的吸收系数,膜层只需达到微米级就可全部吸收能力大于铜铟镓硒薄膜带宽度的入射光,因此铜铟镓硒薄膜太阳能电池可节省大量的原料,并且受稀有元素价格提升和原料短缺的影响相对较小,具有光吸收能力强,放电稳定性好、转化效率高等优点,因而具有广阔的市场前景。铜铟镓硒薄膜太阳能电池主要有窗口层、缓冲层、吸收层、背电极和衬底组成。缓冲层的制备一般采用化学沉积法,如CSD(硫化镉)的化学沉积,利用喷嘴将溶液喷射到衬底上通过化学沉积制备。目前化学沉积在衬底上形成的硫化镉薄膜厚度无法控制,且化学沉积后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,包括依次设置的放卷辊、若干托辊、张力控制辊和收卷辊,其特征是,所述放卷辊和收卷辊间设置有腔体,放卷辊和收卷辊间的传输通道设置于腔体内,腔体包括主反应区、前段清洗区、后段清洗区和风干区,主反应区内的传输通道上设置有均匀排列设置的传送辊,主反应区内前端顶部固定设置有化学溶液喷头,主反应区内下方位于传送辊间分别设置有加热器,每个加热器上分别设置有温度传感器,前段清洗区和后段清洗区内分别设置有清水喷头,风干区内设置有风机。

【技术特征摘要】
1.一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,包括依次设置的放卷辊、若干托辊、张力控制辊和收卷辊,其特征是,所述放卷辊和收卷辊间设置有腔体,放卷辊和收卷辊间的传输通道设置于腔体内,腔体包括主反应区、前段清洗区、后段清洗区和风干区,主反应区内的传输通道上设置有均匀排列设置的传送辊,主反应区内前端顶部固定设置有化学溶液喷头,主反应区内下方位于传送辊间分别设置有加热器,每个加热器上分别设置有温度传感器,前段清洗区和后段清洗区内分别设置有清水喷头,风干区内设置有风机。2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,其特征是,所述主反应区前端设置有向主反应区内吹风的风机。3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,其特征是,所述放卷辊的放卷输出位置设置有速度编码器。4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,其特征是,所述腔体上设置有腔门,腔门表面透明...

【专利技术属性】
技术研发人员:任宇航刘晓燚罗明新
申请(专利权)人:浙江尚越新能源开发有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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