【技术实现步骤摘要】
一种提升NandFlash总线时序裕量的方法及装置
本专利技术涉及NandFlash总线
，更具体地说，涉及一种提升NandFlash总线时序裕量的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
NandFlash总线是一种内部采用非线性宏单元模式的并行存储总线；随着大数据时代的来临，对“提升单位产品单位体积的存储容量”和“降低整个系统的延时”的需求越来越强烈，“大容量”意味着NandFlash总线上单通道上挂载的die数量要逐渐增加，负载电容越来越大；“低延时”意味着NandFlash总线的运行速率要求也会越来越高。但是，负载电容越大，所运行的信号边沿退化越严重，满足系统要求的时序裕量窗口越小(NandFlash总线时序裕量越小)，可实现的运行速率越低——即“大容量”和“高速率”在NandFlash总线上是一个矛盾的存在。NandFlash总线的运行速率已然成为制约整个存储性能提升的瓶颈所在。综上所述，现有技术中存在由于负载电容较大导致NandFlash总线的时序裕量较小、运行速率较低的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提升NandFlash总...
【技术保护点】
1.一种提升NandFlash总线时序裕量的方法，其特征在于，包括：获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，所述设定充电时间值为设定的所述指定点的电压值由充电前电压值变化至充电后电压值所需的时间；基于所述当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值计算所述NandFlash总线的总线等效电容值；基于所述总线等效电容值及所述NandFlash总线的负载电容值计算需增加的特定电容的电容值，并将该特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联。
【技术特征摘要】
1.一种提升NandFlash总线时序裕量的方法，其特征在于，包括：获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，所述设定充电时间值为设定的所述指定点的电压值由充电前电压值变化至充电后电压值所需的时间；基于所述当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值计算所述NandFlash总线的总线等效电容值；基于所述总线等效电容值及所述NandFlash总线的负载电容值计算需增加的特定电容的电容值，并将该特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，计算所述NandFlash总线的总线等效电容值，包括：按照下列公式计算所述NandFlash总线的总线等效电容值：Vt＝V0+(Vu-V0)*[1-exp(-t/RC)]，其中，V0为充电前电压值，Vu为充电后电压值，Vt为当前电压值，t为设定充电时间值，R为总线等效电阻值，C为总线等效电容值；计算需增加的特定电容的电容值，包括：按照下列公式计算需增加的特定电容的电容值：C＝(C1*C2)/(C1+C2)，其中，C1为负载电容值，C2为特定电容的电容值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联，包括：如果所述指定点位于所述NandFlash总线的干路上，则将所述特定电容埋入PCB基板中，以与所述NandFlash总线的全部负载电容组成的负载电容组串联。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将特定电容与所述负载电容值对应的负载电容串联，包括：如果所述指定点位于所述NandFlash总线的每个负载支路上，则对于任一指定点，将该任一指定点对应计算的特定电容集成到该任一指定点位于的负载支路上的负载电容对应的颗粒封装中，以与该颗粒封装中的负载电容串联。5.一种提升NandFlash总线时序裕量的装置，其特征在于，包括：获取模块，用于：获取NandFlash总线上指定点当前时刻的当前电压值、充电前电压值、充电后电压值、总线等效电阻值及设定充电时间值，所述设定...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈兵，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41
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