光掩模坯料及制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。

【技术实现步骤摘要】
光掩模坯料及制造方法相关申请的交叉引用本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求2017年6月13日在日本提交的专利申请No.2017-115879的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及光掩模坯料和该光掩模坯料的制备方法，由该光掩模坯料生产在半导体集成电路等的微细加工中使用的光掩模。
技术介绍
在半导体
中，为了电路图案的进一步小型化而继续努力研究和开发。近来，向更高集成度的大规模集成电路的挑战使得对电路图案的进一步小型化、写入图案的尺寸减小和用于单元构成层间连接的接触孔图案的小型化的需求不断增加。因此，在形成这样的精细图案的光刻中使用的光掩模的制造中，需要能够精确地写入更精细的电路图案或掩模图案的技术以满足小型化的需求。通常，在半导体衬底上形成图案中，光刻术采用缩小投影。因此，光掩模图案通常具有将要在半导体衬底上形成的图案尺寸的约4倍的尺寸。在目前普遍使用的光刻中，待写入的电路图案具有远小于用于曝光的光的波长的尺寸。如果使用只是电路特征的4倍放大率的光掩模图案，由于曝光过程中产生的影响例如光学干涉，没有将所需的形状转印至半导体衬底上的抗蚀剂膜。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光掩模坯料，其被加工为透射光掩模，该透射光掩模用于使用波长至多200nm的曝光光在接受体上形成图案的光刻，该光掩模坯料包括：透明衬底，第一膜，其设置在该衬底上并且由如下材料形成，该材料可通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧基干蚀刻来蚀刻并且耐受使用含氟气体的氟基干蚀刻，和第二膜，其与该第一膜邻接地设置并且由含硅材料形成，该含硅材料在该第一膜的氯/氧基干蚀刻过程中基本上未被蚀刻，所述第二膜由单层或多层组成，该单层或多层包括至少一个相对于在缺陷检查步骤中使用的检查光的波长具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层，所述检查光的波长比曝光光长。

【技术特征摘要】
2017.06.13 JP 2017-1158791.光掩模坯料，其被加工为透射光掩模，该透射光掩模用于使用波长至多200nm的曝光光在接受体上形成图案的光刻，该光掩模坯料包括：透明衬底，第一膜，其设置在该衬底上并且由如下材料形成，该材料可通过使用氯气和氧气的气体混合物的氯/氧基干蚀刻来蚀刻并且耐受使用含氟气体的氟基干蚀刻，和第二膜，其与该第一膜邻接地设置并且由含硅材料形成，该含硅材料在该第一膜的氯/氧基干蚀刻过程中基本上未被蚀刻，所述第二膜由单层或多层组成，该单层或多层包括至少一个相对于在缺陷检查步骤中使用的检查光的波长具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层，所述检查光的波长比曝光光长。2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述第二膜具有2nm-20nm的厚度。3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述第二膜的含硅材料为硅单质、含有硅和选自氧、氮和碳中的至少一种轻元素的含硅化合物、或者含有硅、选自氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：高坂卓郎，寺泽恒男，入江重夫，木下隆裕，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP