清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种清洗装置，包括自转的刷子，此外还包括一气缸，所述气缸带动刷子沿刷子的中心轴左右往复移动。本实用新型专利技术在现有的清洗装置中增加气缸，带动清洗装置中的刷子水平往复做扫掠运动，这样可以实现刷子自转的同时做水平运动，利用刷子中间部位清洗能力较好的特点，对晶圆边缘进行同样的清洗作用，改善晶圆边缘的清洗状况，减少晶圆边缘的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
清洗装置
本技术涉及半导体集成电路制造领域，具体属于一种清洗装置。
技术介绍
随着半导体工业的飞速发展，电子器件的尺寸越来越小，对于晶圆表面平整度的要求也已经达到了纳米级。在晶圆的加工过程中，化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP，也称化学机械抛光)是半导体晶圆表面加工的关键工序之一，并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化。在CMP工艺中，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除，溶入流动的液体中带走。晶圆经过研磨后，会有研磨液及许多研磨残留，故需要采用清洗装置对研磨液以及残留物进行清洗后才能完成所有制程，从而实现晶圆表面无缺陷。目前，通常采用刷子2对研磨后的晶圆1表面进行清洗，如图1所示，其中刷子2的位置固定且进行自转，而在清洗过程中，晶圆1也进行自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗装置，包括自转的刷子，其特征在于，还包括一气缸和支撑杆，所述刷子安装在支撑杆上，所述气缸与刷子平行设置，且气缸通过轴承安装在支撑杆上，所述气缸带动刷子沿刷子的中心轴左右往复移动。

【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，包括自转的刷子，其特征在于，还包括一气缸和支撑杆，所述刷子安装在支撑杆上，所述气缸与刷子平行设置，且气缸通过轴承安装在支撑杆上，所述气缸带动刷子沿刷子的中心轴左右往复移动。2.根据权利要求1所述的清洗装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：万百超，张弢，蒋德念，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31