清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸

具有(a)准备进行下述处理后的处理容器的工序，所述处理在衬底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和(b)向处理容器内供给氟化氢气体，将附着于处理容器内的包含碳或氮中的至少任一者的堆积物除去的工序，其中，在附着于处理容器内的堆积物的蚀刻速率变得大于存在于处理容器内的石英部件的蚀刻速率的条件下，进行(b)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序
本专利技术涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在收容于处理容器内的衬底上形成膜的成膜处理。若进行成膜处理，则会在处理容器内的部件的表面附着堆积物。因此，有时进行向进行成膜处理后的处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物除去的清洁处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-60036号公报专利文献2：日本特开2016-12701号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供能够提高进行成膜处理后的处理容器内的清洁效率的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供具有下述工序的技术：(a)准备进行下述处理后的处理容器的工序，所述处理是在衬底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和(b)向上述处理容器内供给氟化氢气体，将附着于上述处理容器内的包含碳或氮中的至少任一者的堆积物除去的工序，其中，在附着于上述处理容器内的上述堆积物的蚀刻速率变得大于存在于上述处理容器内的石英部件的蚀刻速率的条件下，进行上述(b)。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.清洁方法，其具有下述工序：(a)准备进行了下述处理后的处理容器的工序，所述处理是在衬底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和(b)向所述处理容器内供给氟化氢气体，将附着于所述处理容器内的包含碳或氮中的至少任一者的堆积物除去的工序，其中，在附着于所述处理容器内的所述堆积物的蚀刻速率变得大于存在于所述处理容器内的石英部件的蚀刻速率的条件下，进行所述(b)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.20 JP 2016-1011221.清洁方法，其具有下述工序：(a)准备进行了下述处理后的处理容器的工序，所述处理是在衬底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和(b)向所述处理容器内供给氟化氢气体，将附着于所述处理容器内的包含碳或氮中的至少任一者的堆积物除去的工序，其中，在附着于所述处理容器内的所述堆积物的蚀刻速率变得大于存在于所述处理容器内的石英部件的蚀刻速率的条件下，进行所述(b)。2.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在包含碳及氮中的至少任一者的氧化物的蚀刻速率变得大于碳及氮这两者均不包含的氧化物的蚀刻速率的温度下，进行所述(b)。3.如权利要求2所述的清洁方法，其中，在碳及氮这两者均不包含的氧化物的蚀刻几乎不进行的温度下，进行所述(b)。4.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在所述(b)中，使所述处理容器内的温度为100℃以上且400℃以下。5.如权利要求4所述的清洁方法，其中，在附着于所述处理容器内的所述堆积物的蚀刻速率变得大于存在于所述处理容器内的石英部件的蚀刻速率的压力下，进行所述(b)。6.如权利要求5所述的清洁方法，其中，在碳及氮这两者均不包含的氧化物的蚀刻几乎不进行的压力下，进行所述(b)。7.如权利要求6所述的清洁方法，其中，在以所述处理容器内的压力成为10Torr以上且200Torr以下的压力的方式对所述处理容器内进行了减压的状态下，进行所述(b)。8.如权利要求4所述的清洁方法，其中，在利用所述氟化氢气体进行的蚀刻处理具有规定的蚀刻选择性的条件下，进行所述(b)。9.如权利要求8所述的清洁方法，其中，在比形成所述膜的处理中的所述处理容器内的温度高的温度下，进行所述(b)。10.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在形成所述膜的处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾根新，永户雅也，龟田贤治，绀野光太郎，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP