【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、炉口部以及半导体装置的制造方法及程序
本专利技术涉及基板处理装置、炉口部以及半导体装置的制造方法及程序。
技术介绍
对于作为基板处理装置的一例的半导体制造装置，已知具有立式装置。近来，就这种半导体制造装置而言，为了能够进行多样的成膜，多数情况下开闭阀(阀)的个数多，且气体供给系统也是两个系统以上。一直以来，如图4所示，从最接近炉口部的开闭阀到炉口部的配管是包含柔性配管的配管。虽然根据装置的布局来决定，但该配管的长度为500～3000mm左右。已知，以附着于直至该开闭阀的包含柔性配管的配管内的副产物为起因的颗粒向反应室内排出而附着于基板上，由此对设备特性产生影响。因此，作为防止该问题的对策，实施以下方法：在供给成膜气体的同时，在未供给成膜气体的配管流动N2气体。但是，由于供给该N2气体(以后，有时称为补偿N2气体)，成膜气体浓度在反应室内不均匀，在基板处理中，膜厚均匀性恶化。在此，作为不需要补偿N2气体的结构，考虑在气体供给系统内的接近处理炉的配管设置开闭阀，但由于阀设置空间限制、阀耐热温度限制等原因而无法实现。另一方面，如专利文献1及专利文献2那样，...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理室，其至少由反应管和设置于该反应管的下部的炉口部构成；喷嘴，其设置于上述炉口部，并从上述炉口部立起至上述反应管内；气体供给系统，其设置于上述喷嘴的上游侧；遮断部，其构成为设置于上述气体供给系统与上述喷嘴的边界；以及控制部，其分别对上述气体供给系统及上述遮断部进行控制，以使上述遮断部与上述气体供给系统联动，从上述喷嘴向上述处理室内供给气体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理室，其至少由反应管和设置于该反应管的下部的炉口部构成；喷嘴，其设置于上述炉口部，并从上述炉口部立起至上述反应管内；气体供给系统，其设置于上述喷嘴的上游侧；遮断部，其构成为设置于上述气体供给系统与上述喷嘴的边界；以及控制部，其分别对上述气体供给系统及上述遮断部进行控制，以使上述遮断部与上述气体供给系统联动，从上述喷嘴向上述处理室内供给气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述遮断部构成为，以在上述遮断部与上述炉口部的侧壁之间不设置配管的方式接近上述炉口部的侧壁而安装。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，进一步地，上述配管部具有设置于比上述遮断部靠上游侧的气体切换部，上述气体供给系统具备实施上述气体切换部与上述遮断部之间的配管内的排气的排气部。4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板处理装置还具备实施上述遮断部的冷却的冷却部，上述冷却部构成为向上述遮断部供给冷却流体。5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板处理装置还具备实施上述炉口部的局部排气的炉口箱部，上述遮断部构成为设置于上述炉口箱部内。6.一种基板处理装置，其特征在于，具备：第一喷嘴及第二喷嘴，它们从炉口部立起至反应管内；第一气体供给系统，其设置于上述第一喷嘴的上游侧；第二气体供给系统，其设置于上述第二喷嘴的上游侧；第一遮断部，其构成为设置于上述第一喷嘴与上述第一气体供给系统的边界；第二遮断部，其构成为设置于上述第二喷嘴与上述第二气体供给系统的边界；以及控制部，其对上述第一气体供给系统、上述第一遮断部、上述第二气体供给系统、上述第二遮断部进行控制，以使上述第一遮断部与上述第一气体供给系统联动而向上述反应管内供给第一气体，以及使上述第二遮断部与上述第二气体供给系统联动而向上述反应管内供给第二气体。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部使上述第一遮断部开放，对上述反应管内的基板供给上述第一气体，并且以不供给上述第二气体的方式堵塞上述第二遮断部，和/或使上述第二遮断部开放，对上述反应管内的基板供给上述第二气体，并且以不供给上述第一气体的方式堵塞上述第一遮断部。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板处理装置还具备排出上述反应管内的气体的...
【专利技术属性】
技术研发人员：大野干雄，梅川纯史，花岛建夫，平松宏朗，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。