衬底处理装置、衬底保持件及载置件制造方法及图纸

提供能够忽略由晶舟导致的气体消耗的影响的构成。提供下述构成：具备安装有载置衬底的载置部的支柱、和没有安装载置部的辅助支柱的衬底保持件设置为辅助支柱的直径小于支柱的直径，当通过载置部保持衬底时，衬底的端部与支柱之间设置为分开规定长度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底处理装置、衬底保持件及载置件
本专利技术涉及衬底处理装置、衬底保持件及载置件。
技术介绍
在作为衬底处理装置的一种的半导体制造装置中，将装填有作为衬底的晶片的晶舟装入已利用作为加热机构的加热器而被加热至规定温度的炉内，将炉内抽真空，利用反应气体导入管导入反应气体并对晶片表面进行处理，将排气气体自排气管排气。另外，晶舟具有多根支柱，并通过刻设于该支柱的槽来将多个晶片保持为水平。例如，现有技术文献1中公开了下述构造：使保持晶片并被装入立式炉内的晶舟在整体范围内打开。此外，还记载了下述效果：利用这种构成，由于装填隔热板的部分(隔热区域)被完全打开，因此，在处理后进行了气体吹扫的情况下，反应气体不会滞留在炉内。对于上述这种具有立式炉的半导体制造装置而言，晶舟与晶片的距离近，当成膜时在晶舟表面上也发生成膜。故此，具有晶舟周边的气体浓度降低的趋势。伴随着近年来的图案微细化，这种晶舟导致的气体消耗的影响可能会导致衬底品质的降低。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平07-037973号
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种能够忽略由晶舟导致的气体消耗的影响的构成。用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衬底处理装置，其设置有衬底保持件，所述衬底保持件具备支柱和辅助支柱，所述支柱安装有载置衬底的载置部，所述辅助支柱没有安装所述载置部，所述衬底保持件构成为所述辅助支柱的直径小于所述支柱的直径，当通过所述载置部保持所述衬底时，所述衬底的端部与所述支柱之间构成为分开规定长度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.10 JP 2016-0236251.衬底处理装置，其设置有衬底保持件，所述衬底保持件具备支柱和辅助支柱，所述支柱安装有载置衬底的载置部，所述辅助支柱没有安装所述载置部，所述衬底保持件构成为所述辅助支柱的直径小于所述支柱的直径，当通过所述载置部保持所述衬底时，所述衬底的端部与所述支柱之间构成为分开规定长度。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述规定长度为5mm以上。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述支柱的直径构成为保持能够在所安装的所述载置部上载置所述衬底的强度。4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述载置部分别设置有支承所述衬底的接触部、和构成所述接触部与所述支柱之间的主体部，所述衬底保持件构成为使所述衬底的端部与所述支柱之间分开所述主体部的长度，并通过所述接触部保持所述衬底。5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述载置部构成为在所述接触部与所述主体部之间设置有层差。6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述衬底保持件构成为具有多个所述支柱及所述辅助支柱，在所述支柱中，在所述衬底被载置的方向上设置有基准支柱，以所述基准支柱为中心，所述支柱及辅助支柱设置在相对于所述衬底被载置的方向而言呈左右对称的位置。7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述支柱与所述辅助支柱设置为所述支柱与所述辅助支柱之间的距离、及所述辅助支柱之间的距离在周向上成为等间隔。8.衬底保持件，其具备支柱和辅助支柱，所述支柱安装有载置衬底的载置部，所述辅助支柱没有安装所述载置部，所述衬底保持件构成为所述辅助支柱的直径小于所述支柱的直径，当通过所述载置部保持所述衬底时，所述衬底的端部与所述支柱之间构成为分开规定长度。9.衬底处理装置，其构成为设置有衬底保持件，所述衬底保持件具备支柱，所述支柱安装有载置衬底的载置部，所述支柱设定为保持能够在所安装的所述载...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野敦士，竹林雄二，加我友纪直，境正宪，岛田真一，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP