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清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸
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文档序号:19879604
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具有(a)准备进行下述处理后的处理容器的工序,所述处理在衬底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜;和(b)向处理容器内供给氟化氢气体,将附着于处理容器内的包含碳或氮中的至少任一者的堆积物除去的工序,其中,在附着于处理容器内的堆积物的蚀刻速...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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