半导体器件和制造方法技术

本发明专利技术涉及引线框架或柔性印刷电路(FPC)以及制造GAM值大于2.0的引线框架或FPC的方法。所述方法包括对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC。随后对经微蚀刻的引线框架或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序、银触击电镀工序、亮银电镀工序和随后的银剥离工序，以提供镜面亮银引线框架或FPC。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件和制造方法
本专利技术涉及用于电子器件的引线框架或柔性印刷电路(FPC)的制造。具体地，该方法涉及实现电镀引线框架或FPC以产生高亮度发光二极管(LED)的工艺。
技术介绍
发光二极管(LED)是对各种照明应用都有意义的半导体光源。其中，LED通常用于电子领域，以在各种设备(例如手表、交通信号灯和电视等)中提供照明。与传统的白炽灯泡和荧光照明装置相比，LED具有几个优点/益处。LED更可靠，它们在得到供电时立即提供照明，并且它们可以频繁地接通和断开，而不会不利地影响LED的寿命或发光能力。最值得注意的是，与传统光源相比，LED具有极高的能效，并具有出色的长工作寿命。LED技术正在慢慢地改变广告业，因为它能够制造鲜艳的动态显示屏。人们早就知道，路人通常不会被低亮度的静态图像所吸引。因此，需要生产即使在远距离看来也富有感染力的明亮LED屏幕。亮度通常以坎德拉每平方米(也称为NITS)为单位来测量。小型LCD屏幕可以具有250cd/m2的亮度级别，而42英寸LCD可以具有800cd/m2的亮度级别。室内LED屏幕通常具有1500cd/m2的亮度，而大型室外屏幕可以具有10,000本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造GAM值大于2.0的引线框架的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供镀铜的引线框架或FPC，其中镀铜受到蚀刻并涂覆有抗变色层；(b)对镀铜的引线框架或FPC进行第一电解清洁步骤，以提供经电解清洁的引线框架；(c)对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC；(d)对经微蚀刻的引线框架或FPC或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序，以提供镀镍的引线框架或FPC；(e)对镀镍的引线框架或FPC进行银触击电镀工序，以提供触击镀银的引线框架或FPC；(f)对触击镀银...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.10 SG 10201601865X1.一种制造GAM值大于2.0的引线框架的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供镀铜的引线框架或FPC，其中镀铜受到蚀刻并涂覆有抗变色层；(b)对镀铜的引线框架或FPC进行第一电解清洁步骤，以提供经电解清洁的引线框架；(c)对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC；(d)对经微蚀刻的引线框架或FPC或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序，以提供镀镍的引线框架或FPC；(e)对镀镍的引线框架或FPC进行银触击电镀工序，以提供触击镀银的引线框架或FPC；(f)对触击镀银的引线框架或FPC进行亮银电镀工序，以提供亮银引线框架或FPC；(g)对亮银电镀引线框架或FPC进行银剥离工序，以提供镜面亮银引线框架或FPC；以及(h)对镜面亮银电镀引线框架或FPC施用抗变色涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行步骤(b)之前，在酸浴中对步骤(a)的镀铜引线框架或FPC进行浸泡步骤，以提供酸洗清洁镀铜引线框架或FPC，可选地，其中，酸选自硫酸、多硫酸、连二硫酸和过氧硫酸中的一种或多种。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤(c)中使用时，微蚀刻工序包括向经电解清洁的引线框架或FPC上喷射微蚀刻溶液，喷射的量和时间足够从镀铜层上去除0.5至1.3μm的铜。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述微蚀刻溶液包含浓度为60g/L至90g/L的有机过氧化物(例如过硫酸铵)以及浓度为1至2体积百分比的硫酸，可选地，其中微蚀刻溶液与经电解清洁的引线框架或FPC的接触时间为30到60秒。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在步骤(c)中，镀铜步骤使用氰化铜浴，并且在约50℃至约55℃的温度下使用约3.0A/dm2至约4.0A/dm2的电流密度进行。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在步骤(d)中，镀镍工序使用包括以下成分的镍电解溶液：硫酸镍(例如六水合硫酸镍)，含量为约300g/L至约350g/L；氯化镍，含量为约40g/L至约60g/L；硼酸，含量为约40g/L至约50g/L；润湿剂，含量为约0.3体积百分比；添加剂A，含量为1.0至2.0体积百分比；添加剂B，含量为0.2至0.3体积百分比；以及添加剂C，含量为0.5至0.75体积百分比；其中添加剂A选自取代或未取代的芳基磺酰胺，取代或未取代的不饱和烷基磺酰胺，取代或未取代的芳基磺酸盐，取代或未取代的不饱和烷基磺酸盐，芳基磺酸及其盐和溶剂化物中的一种或多种；添加剂B选自三氟甲磺酸、三氟甲磺酸的卤化物以及芳族取代的磺酸及其盐和溶剂化物中的一种或多种；添加剂C选自1,2-甲基-4-异噻唑啉、卡宾菌素、1,2-苯并异噻唑-3(...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·亚拉尼安，S·扎莫达兰，
申请(专利权)人：洛克引线框架私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG