半导体器件和制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件和制造方法，具体地涉及引线框架或柔性印刷电路(FPC)以及制造GAM值大于2.0的引线框架或FPC的方法。所述方法包括对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC。随后对经微蚀刻的引线框架或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序、银触击电镀工序、亮银电镀工序和随后的银剥离工序，以提供镜面亮银引线框架或FPC。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于电子器件的引线框架或柔性印刷电路(fpc)的制造。具体地，该方法涉及实现电镀引线框架或fpc以产生高亮度发光二极管(led)的工艺。

技术介绍

1、发光二极管(led)是对各种照明应用都有意义的半导体光源。其中，led通常用于电子领域，以在各种设备(例如手表、交通信号灯和电视等)中提供照明。与传统的白炽灯泡和荧光照明装置相比，led具有几个优点/益处。led更可靠，它们在得到供电时立即提供照明，并且它们可以频繁地接通和断开，而不会不利地影响led的寿命或发光能力。最值得注意的是，与传统光源相比，led具有极高的能效，并具有出色的长工作寿命。

2、led技术正在慢慢地改变广告业，因为它能够制造鲜艳的动态显示屏。人们早就知道，路人通常不会被低亮度的静态图像所吸引。因此，需要生产即使在远距离看来也富有感染力的明亮led屏幕。亮度通常以坎德拉每平方米(也称为nits)为单位来测量。小型lcd屏幕可以具有250cd/m2的亮度级别，而42英寸lcd可以具有800cd/m2的亮度级别。室内led屏幕通常具有1500cd/m2的亮度，而大型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造GAM值大于2.0的引线框架的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行步骤(b)之前，在酸浴中对步骤(a)的镀铜引线框架或FPC进行浸泡步骤，以提供酸洗清洁镀铜引线框架或FPC，可选地，其中，酸选自硫酸、多硫酸、连二硫酸和过氧硫酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤(c)中使用时，微蚀刻工序包括向经电解清洁的引线框架或FPC上喷射微蚀刻溶液，喷射的量和时间足够从镀铜层上去除0.5至1.3μm的铜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述微蚀刻溶液包含浓度为60g/L至90g/L的...

【技术特征摘要】

1.一种制造gam值大于2.0的引线框架的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行步骤(b)之前，在酸浴中对步骤(a)的镀铜引线框架或fpc进行浸泡步骤，以提供酸洗清洁镀铜引线框架或fpc，可选地，其中，酸选自硫酸、多硫酸、连二硫酸和过氧硫酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤(c)中使用时，微蚀刻工序包括向经电解清洁的引线框架或fpc上喷射微蚀刻溶液，喷射的量和时间足够从镀铜层上去除0.5至1.3μm的铜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述微蚀刻溶液包含浓度为60g/l至90g/l的有机过氧化物(例如过硫酸铵)以及浓度为1至2体积百分比的硫酸，可选地，其中微蚀刻溶液与经电解清洁的引线框架或fpc的接触时间为30到60秒。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在步骤(c)中，镀铜步骤使用氰化铜浴，并且在约50℃至约55℃的温度下使用约3.0a/dm2至约4.0a/dm2的电流密度进行。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在步骤(d)中，镀镍工序使用包括以下成分的镍电解溶液：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在步骤(d)中，为补充消耗的添加剂a和添加剂b而进一步添加：

8.根据权利要求6所述的方法，其中，镀镍工序在50℃至65℃的温度下使用约5.0a/dm2至约6.5a/dm2的电流密度进行，其中利用可溶性的镍阳极，并且进行阴极移动或...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·亚拉尼安，S·扎莫达兰，
申请(专利权)人：洛克引线框架私人有限公司，
类型：发明
国别省市：