本发明专利技术公开了一种有机共晶材料、有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用，有机共晶材料中给体为多环芳烃，受体为TCNQ、FTCNQ、F<subgt;2</subgt;TCNQ或F<subgt;4</subgt;TCNQ，有机自由基共晶材料的给体为多环芳烃，受体为H<supgt;+</supgt;TCNQ<supgt;·‑</supgt;、H<supgt;+</supgt;FTCNQ<supgt;·‑</supgt;、H<supgt;+</supgt;F<subgt;2</subgt;TCNQ<supgt;·‑</supgt;或H<supgt;+</supgt;F<subgt;4</subgt;TCNQ<supgt;·‑</supgt;，有机自由基共晶材料的磁性相比较于有机共晶材料的磁性更强，具有更好的应用前景。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁性材料，特别是涉及一种有机共晶材料、有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用。
技术介绍
1、2005年，science在创刊125周年之际公布了125个最具挑战性的科学问题，其中一项就是“能否制造出室温下的磁性半导体？”，2022年，华南理工大学马於光院士和团队采用过量水合肼的溶剂热方法，将刚性骨架苝二亚胺(pdi)晶体同时还原并溶解为具有很高还原电位的可溶性离子。磁性测量结果表明，pdi粉末具有室温铁磁性，居里温度高于400k，饱和磁化强度高达1.2emu·g-1。2023年，hye soo kim等人首先指出，通过水合肼还原以fa-tcnq为代表的有机共晶产生自由基能显著提高其导电率，且高达2.1×10-2s/cm。由此我们设想是否此方法也可以提升其在铁磁方面的性质，从而满足兼具半导体材料(逻辑运算功能)和磁性材料(存储功能)双重特性的磁性半导体。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种有机共晶材料在磁性半导体中的应用。
>2、本专利技术的另本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，有机共晶材料中给体为多环芳烃，受体为TCNQ、FTCNQ、F2TCNQ或F4TCNQ。
2.如权利要求1所述的有机共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述多环芳烃为荧蒽、萘、蒽、菲或芘。
3.如权利要求1所述的有机共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述有机共晶材料通过以下方法制备：
4.一种有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述有机自由基共晶材料中的给体为多环芳烃，受体为H+TCNQ·-、H+FTCNQ·-、H+F2TCNQ·-或H+F4TCNQ·-。
5...
【技术特征摘要】
1.一种有机共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，有机共晶材料中给体为多环芳烃，受体为tcnq、ftcnq、f2tcnq或f4tcnq。
2.如权利要求1所述的有机共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述多环芳烃为荧蒽、萘、蒽、菲或芘。
3.如权利要求1所述的有机共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述有机共晶材料通过以下方法制备：
4.一种有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述有机自由基共晶材料中的给体为多环芳烃，受体为h+tcnq·-、h+ftcnq·-、h+f2tcnq·-或h+f4tcnq·-。
5.如权利要求4所述的有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述多环芳烃为荧蒽、萘、蒽、菲或芘。
6.如权利要求4所述的有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述有机自由基共晶材料通过以下步骤制备：
7.如权利要求6所述的有机自由基共晶材料在磁性半导体中的应用，其特征在于，所述步骤1中，有机溶剂为乙腈...
【专利技术属性】
技术研发人员：张小涛，李婷婷，丁帅帅，孙世悦，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。