用于过程反应室的排气通道的清洁装置制造方法及图纸

一种在制造包括半导体或LCD的物品中使用的过程反应室的排气通道的清洁装置。排气通道的清洁装置包括壳体，该壳体具有连接至排气通道的上游端的流入管、连接至排气通道的下游端的流出管和设置在流入管与流出管之间的连接管。壳体中的射频发生器经由相应的线圈将射频功率施加至流入管和流出管。从经由相应的线圈施加的RF功率在流入管和流出管内诱导的等离子体致使从在流入管和流出管内流动的排气产生自由基。这些自由基致力于驱逐清洁装置下游的排气通道内积聚的颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于过程反应室的排气通道的清洁装置关于联邦政府资助的研究或开发的声明N/A
技术介绍
本专利技术涉及一种用于在半导体或LCD的制造过程中使用的过程反应室的排气通道的清洁装置，并且更具体地，涉及这样的用于排气通道的清洁装置：在该清洁装置中，流入管和流出管形成在附接有气体入口和气体出口的壳体的内部，来自射频发生器的射频功率被施加至流入管和流出管，并且提供了用于阻抗匹配的电容器和线圈。通常，等离子体发生器被用于沉积或图案化在半导体或液晶显示器LCD上实现的结构的过程中。等离子体是指由离子、电子或自由基组成的电离气体状态，并通过高温状态、强电场或射频(RF)电磁场产生。具体地，通过由直流(DC)或射频电磁场激发的自由电子来执行通过辉光放电现象生成等离子体，并且激发的自由电子与气体分子碰撞以生成诸如离子、自由基和电子的活性基团。这些活性基团物理或化学地作用于目标表面的表面上以改变其性质。以这种方式，通过活性基团有意地改变材料的表面性质的过程被称为表面处理，并且通常，利用等离子体进行的表面处理是指通过利用等离子态的产品来清洁或蚀刻材料的表面。在用于使用等离子体对物体进行表面处理的过程反应室中，排气管连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.安装在过程反应室的排气通道中的清洁装置，所述清洁装置包括：流入管，具有用于从所述排气通道的上游部分接收排气的相关气体入口；流出管，具有用于将排气从所述清洁装置排出至所述排气通道的下游部分的相关气体出口；连接管，将所述流入管流体地连接至所述流出管；第一射频(RF)线圈组件和第二RF线圈组件，所述第一射频(RF)线圈组件缠绕在所述流入管的外圆周表面上，所述第二RF线圈组件缠绕在所述流出管的外圆周表面上；RF发生器，用于生成RF功率；匹配网络，用于从所述RF发生器接收所述RF功率，并将所述RF功率施加至所述第一RF线圈组件和所述第二RF线圈组件中的每个的一端，所述第一RF线圈和所述第二RF线圈中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.01 US 62/289,6001.安装在过程反应室的排气通道中的清洁装置，所述清洁装置包括：流入管，具有用于从所述排气通道的上游部分接收排气的相关气体入口；流出管，具有用于将排气从所述清洁装置排出至所述排气通道的下游部分的相关气体出口；连接管，将所述流入管流体地连接至所述流出管；第一射频(RF)线圈组件和第二RF线圈组件，所述第一射频(RF)线圈组件缠绕在所述流入管的外圆周表面上，所述第二RF线圈组件缠绕在所述流出管的外圆周表面上；RF发生器，用于生成RF功率；匹配网络，用于从所述RF发生器接收所述RF功率，并将所述RF功率施加至所述第一RF线圈组件和所述第二RF线圈组件中的每个的一端，所述第一RF线圈和所述第二RF线圈中的每个的第二端均接地；其中，当所述第一线圈组件和所述第二线圈组件中的每个均经由所述匹配网络被来自所述RF发生器的RF功率激励时，所述第一线圈组件和所述第二线圈组件中的每个的磁通线均在相应的所述流入管或所述流出管内引起VHF谐振，从而在流通过所述流入管或所述流出管的排气内形成等离子体，所述等离子体从所述排气中形成用于清洁处于所述清洁装置下游的、所述过程反应室的所述排气通道的一部分的自由基。2.根据权利要求1所述的清洁装置，其中，所述第一线圈组件和所述第二线圈组件各自包括一对线圈。3.根据权利要求2所述的清洁装置，其中，所述一对线圈中的每个线圈均围绕相应的所述流入管或所述流出管缠绕至...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东秀，朱敏秀，朱敏圭，
申请(专利权)人：雷特罗萨米科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US