具有分离式电极的等离子体反应器制造技术

一种等离子体反应器，用于产生在诸如太阳能电池制造中的大面积晶片上沉积薄膜中使用的等离子体。等离子体反应器中的等离子体电极单元被划分成多个分立电极，并且根据由时序控制单元控制的预定时序的时间间隔(temporal interval)将RF电力顺序地施加至分离式等离子体电极。在分离式等离子体电极单元上顺序地施加RF电力解决了在对应于大面积晶片的大面积上施加的等离子体中的驻波问题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有分离式电极的等离子体反应器关于联邦政府资助的研究或开发的声明无
技术介绍
在制造诸如半导体的集成电路(IC)的过程中所使用的化学气相沉积(CVD)技术是一种将诸如热或电力的能量施加至包括化学品的气态原料以增加原料气体的反应性并引发化学反应以使得原料气体被吸附在半导体晶片上形成薄膜或外延层的技术，并且主要被用于生产半导体、硅氧化物膜、硅氮化物膜、非晶硅薄膜。通常，在制造过程期间，如果生产在相对较低的温度下进行，则半导体的产率因产品缺陷的数量的减少而提高。然而，化学气相沉积技术通过利用热或光施加能量来引起化学反应，导致温度不可避免地增加，使得难以提高半导体的产率。作为解决温度诱发问题的方法，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法使得即使在低温下也能够实现化学气相沉积。在PECVD方法中，通过使用等离子体代替热、电或光以增加原料气体的反应性来化学地活化反应物，从而诱发化学反应以沉积薄膜。为了在PECVD中实现这一点，通过将RF电力从RF振荡器供应给以气体状态存在的原料气体而提高化学活性以在低温下产生化学反应，从而将反应物转化成等离子体。通常，随着RF电力的频率变高，使用PECVD方法可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于等离子体处理的等离子体反应器，包括：缓冲室；分离式等离子体电极单元，包括多个分立电极并设置在所述缓冲室内；至少一个工艺气体注入口，用于接收相应的工艺气体并用于将相应的工艺气体注入至所述缓冲室中靠近所述分立电极；处理室，在所述处理室中，能够通过所述分立电极选择性地激励所述工艺气体来形成等离子体；衬底支承件，设置在所述处理室的下端以支承衬底，所述等离子体沉积在所述衬底上；RF电力单元，用于供应RF电力；以及时序控制单元，用于将一个分立电极与预定时序内的多个时间间隔中的每个相关联，并且用于根据所述预定时序的多个时间间隔将从所述RF电力单元接收的RF电力顺序地施加至所述多个分立电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.29 US 62/329,4921.用于等离子体处理的等离子体反应器，包括：缓冲室；分离式等离子体电极单元，包括多个分立电极并设置在所述缓冲室内；至少一个工艺气体注入口，用于接收相应的工艺气体并用于将相应的工艺气体注入至所述缓冲室中靠近所述分立电极；处理室，在所述处理室中，能够通过所述分立电极选择性地激励所述工艺气体来形成等离子体；衬底支承件，设置在所述处理室的下端以支承衬底，所述等离子体沉积在所述衬底上；RF电力单元，用于供应RF电力；以及时序控制单元，用于将一个分立电极与预定时序内的多个时间间隔中的每个相关联，并且用于根据所述预定时序的多个时间间隔将从所述RF电力单元接收的RF电力顺序地施加至所述多个分立电极。2.根据权利要求1所述的等离子体反应器，其中，所述时序控制单元还包括降压单元，所述降压单元用于在所述时序控制单元将从所述RF电力单元接收的所述RF电力施加至所述多个分立电极之前降低所述RF电力的电压。3.根据权利要求2所述的等离子体反应器，其中，所述分离式等离子体电极单元包括在基本水平的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东秀，朱敏秀，
申请(专利权)人：雷特罗萨米科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US