溅射靶材制造技术

本发明专利技术提供一种溅射靶材，其特征在于，即使不使用纯Ta也能够提高溅射靶材的强度，防止溅射时的裂纹及颗粒，并且能够防止溅射膜的组成不均。本发明专利技术提供的溅射靶材的特征在于，以at.％计含有35～50％的Ta，余量由Ni及不可避免的杂质构成，且仅由Ni2Ta化合物相和NiTa化合物相构成，所述Ni2Ta化合物相及所述NiTa化合物相的显微组织的最大内接圆直径为10μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射靶材
本专利技术涉及垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用溅射靶材。
技术介绍
近年，磁记录技术的进步显著，为了使驱动器大容量化，正在进行磁记录介质的高记录密度化，可实现比以往已普及的面内磁记录介质更高记录密度的垂直磁记录方式已被实用化。垂直磁记录方式是指，相对于垂直磁记录介质的磁性膜中的介质面，易磁化轴以沿垂直方向取向的方式形成的记录方式，是适于高记录密度的方法。例如，如日本专利第4499044号公报(专利文献1)所记载那样，已知一种垂直磁记录介质，其是在玻璃基板或Al基板等基板上，顺序层叠有密合层、软磁性层、晶种层、中间层、磁记录层以及保护层的垂直磁记录介质，其中，软磁性层含有Co合金，晶种层含有软磁性层侧的第一晶种层及中间层侧的第二晶种层，第一晶种层由Cr中含有选自Ta、Ti、Nb、Si、Al中的一种以上元素的非晶质合金构成，第二晶种层由Ni中含有选自Cr、Ta、Ti、Nb、V、W、Mo、Cu中的一种以上元素的结晶质合金构成。另外，作为形成上述密合层所使用的靶材，使用日本特开2013-127111号公报(专利文献2)中所示的Ni-Ta溅射靶材。该专利文献2记载的溅射靶材，通过在溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶材，以at.％计含有35％～50％的Ta，余量由Ni及不可避免的杂质构成，其特征在于，仅由Ni2Ta化合物相和NiTa化合物相构成，所述Ni2Ta化合物相和所述NiTa化合物相的显微组织的最大内接圆直径为10μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.25 JP 2016-1039021.一种溅射靶材，以at.％计含有35％～50％的Ta，余量由Ni及不可避免的杂质构成，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川浩之，新村梦树，
申请(专利权)人：山阳特殊制钢株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP