溅镀靶材、溅镀靶材的制造方法、非晶质膜、非晶质膜的制造方法、结晶质膜及结晶质膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种含有In、Ta及Ti且高密度的氧化物靶材。本发明专利技术的溅镀靶材为含有In、Ta及Ti的氧化物的靶材，且Ta及Ti的含量分别以原子比(at％)计，满足Ta/(In+Ta+Ti)＝0.08～0.45at％、及Ti/(In+Ta+Ti)＝0.03～1.25at％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅镀靶材、溅镀靶材的制造方法、非晶质膜、非晶质膜的制造方法、结晶质膜及结晶质膜的制造方法
本专利技术涉及一种溅镀靶材、溅镀靶材的制造方法、非晶质膜、非晶质膜的制造方法、结晶质膜及结晶质膜的制造方法。
技术介绍
透明导电氧化物膜的透光性及导电性优异，而用于各种用途。作为透明导电氧化物膜的代表，有氧化锌系氧化物膜或氧化锡系氧化物膜，但使用最多者为氧化铟系氧化物膜，且作为ITO(IndiumTinOxide)膜而广为人知。ITO膜由于低电阻率、高穿透率、微细加工容易性等特征较其他透明导电膜优异，而于以平板显示器用显示电极为代表的大范围的领域中被广泛使用。作为透明导电氧化物膜的制造方法，可列举离子镀覆法、蒸镀法或溅镀法等，其中溅镀法尤其是具有容易控制膜厚的优点等。近年来，作为利用溅镀法制造透明导电氧化物膜时所使用的溅镀靶材，就控制透明导电氧化物膜的折射率等观点而言，研究并开发有含有Ta及Ti作为添加元素者。作为此种技术，例如于专利文献1中揭示有一种氧化铟系溅镀靶材，其特征在于，含有以合计量计为5.2～9.2质量％的氧化钽及氧化钛，氧化钛/氧化钽的质量比为0.022～0.160，且剩余部分为氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅镀靶材，其为含有In、Ta及Ti的氧化物的靶材，且Ta及Ti的含量分别以原子比(at％)计，满足Ta/(In+Ta+Ti)＝0.08～0.45at％、及Ti/(In+Ta+Ti)＝0.03～1.25at％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.31 JP 2017-0720241.一种溅镀靶材，其为含有In、Ta及Ti的氧化物的靶材，且Ta及Ti的含量分别以原子比(at％)计，满足Ta/(In+Ta+Ti)＝0.08～0.45at％、及Ti/(In+Ta+Ti)＝0.03～1.25at％。2.根据权利要求1所述的溅镀靶材，其以相对密度计为98.5％以上。3.根据权利要求1所述的溅镀靶材，其以相对密度计为98.8％以上。4.根据权利要求1所述的溅镀靶材，其以相对密度计为98.9％以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的溅镀靶材，其中，于利用FE-EPMA进行的面分析中，于Ta或Ti的浓度较高的相中最大直径为5μm以上的相于50μm×50μm的SEM像的视野中为3个以下。6.一种权利要求1至5中任一项所述的溅镀靶材的制造方法，其于使原料粉成型后，以升温速度1～5℃/分钟加热至1300～1400℃，并将该温度保持5～60小时后，以降温速度0.1～3℃/分钟使其降温，由此进行烧结。7.根据权利要求6所述的溅镀靶材的制造方法，其中，于上述原料粉含有Ta2O5及TiO2，上述Ta2O5及上述TiO2的平均粒径D50均为2.0μm以下，且BET比表面积为2.0m2/g以上。8.一种溅镀靶材，其为含有In、Ta、Ti及Sn的氧化物的靶材，且Ta、Ti及Sn的含量分别以原子比(at％)计，满足Ta/(In+Ta+Ti+Sn)＝0.08～0.45at％、Ti/(In...

【专利技术属性】
技术研发人员：挂野崇，久家俊洋，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP