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溅镀靶材、溅镀靶材的制造方法、非晶质膜、非晶质膜的制造方法、结晶质膜及结晶质膜的制造方法技术
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本发明提供一种含有In、Ta及Ti且高密度的氧化物靶材。本发明的溅镀靶材为含有In、Ta及Ti的氧化物的靶材,且Ta及Ti的含量分别以原子比(at%)计,满足Ta/(In+Ta+Ti)=0.08~0.45at%、及Ti/(In+Ta+Ti)...
该专利属于JX金属株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过JX金属株式会社授权不得商用。
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