刷新电路制造技术

本发明专利技术包含与刷新电路有关的设备及方法。例示性设备可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含主部分和冗余部分。所述设备可包含刷新电路，所述刷新电路经配置以响应于确定冲击事件而刷新所述冗余部分的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】刷新电路
本专利技术大体上涉及半导体存储器及方法，且更具体来说涉及与刷新电路有关的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如，主机数据、错误数据等)，且其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)与晶闸管随机存取存储器(TRAM)等。由于存储器密度已增加，例如DRAM存储器的一些装置中已出现间歇性故障，所述装置可能归因于在与特定行的存储器单元(例如，耦合到存取线的单元)相关联的刷新窗口内重复存取所述单元而经历故障。例如，物理邻近于在所述刷新窗口内频繁存取的行的行经历数据损坏的可能性增加。重复存取特定行可称为“冲击(hammering)”事件，且行的冲击例如可引起例如跨传送闸的迁移的问题。由行的冲击引起的泄漏及寄生电流可引起未存取物理邻近行(其可称为相邻行或受干扰行)中的数据损坏。所得损坏问题可例如称为冲击干扰及/或行冲击干扰。用以降低行冲击对邻近行的不利影响的一些先前方法包含响应于确定已发生冲击事件而刷新邻近行。例如，响应于确定特定行已经是重复存取的目标(例如，所述行在刷新期内已经历超过阈值数目次存取)，可选择所述特定行的物理邻近的相邻行来进行针对性刷新操作，此可称为行冲击刷新操作。行冲击效应是归因于存储器单元(其可包含一个晶体管和一个电容器)的本质。电容器的电荷状态确定DRAM单元是将“1”还是“0”存储为二进制值。另外，大量DRAM单元被紧实地包装在一起。紧密包装的单元尤其在所述单元的一者被快速激活时可导致经激活电容器对邻近电容器的电荷产生影响(例如，行冲击效应)。另外，电容器可具有自然放电速率且可经重新写入以补偿此放电，此称为“刷新”。附图说明图1是根据本专利技术的若干实施例的呈包含存储器装置的计算系统的形式的设备的框图。图2是说明根据本专利技术的若干实施例的存储器阵列的部分的示意图。图3是说明根据本专利技术的若干实施例的存储器阵列的部分的示意图。图4是说明根据本专利技术的若干实施例的存储器阵列的部分的示意图。具体实施方式本专利技术包含与刷新电路有关的设备及方法。例示性设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包含主部分的存储器单元及冗余部分的存储器单元。例示性设备可包含刷新电路，所述刷新电路经配置以响应于确定冲击事件而刷新所述冗余部分的至少部分。在一些实施例中，当冗余部分的至少一个行经历冲击事件时，可通过刷新存储器阵列的整个冗余部分而保留时间和/或资源。例如，在使用额外时间及/或资源的一些方法中，当对应于主部分中的行的物理地址被再映射到冗余部分时(例如，当主部分中的所述行包含缺陷时)，可刷新主部分中邻近于所述物理地址的行的行。本文中的冗余部分指代主阵列部分的行可(例如，归因于主阵列中的行缺陷)再映射到的额外单元行。但是，由于与主部分中的行相关联的物理地址已被再映射而与冗余部分相关联，所以不必刷新邻近行，而应刷新冗余部分中邻近于冗余行的行以避免行冲击干扰。通过响应于与已被再映射的物理地址相关联的冲击事件而刷新冗余部分，而非确定哪些冗余行邻近于被冲击的冗余行，可避免主部分与冗余部分的物理位址之间的相关性。存储器阵列的主部分可包含若干存储器单元群组，其各自耦合到各自若干存取线(例如，在存储器单元的行中)的一者。例如，第一单元行、第二单元行及第三单元行可为三个邻近单元行。响应于接连不断地存取(例如，激活、选择等)第二单元行(例如，中间行)，第一行和第二行可经历泄漏及/或电相互作用。因此，可按对应于第二单元行(例如，被冲击行)的激活速率的特定速率刷新第一及第三单元行(例如，受干扰行)，本文中称为行冲击刷新。但是，在若干例子中，主阵列中的物理单元行可被再映射到冗余部分中的行，使得存取与经再映射行(例如，主阵列部分中的第二行)相关联的物理地址的请求引起对所述冗余行的存取。当接连不断地发送存取第二单元行的请求时，可针对第一单元行和第二单元行触发行冲击刷新。但是，由于第二单元行已经重新定位，所以冗余行中发生实际激活，且冗余行的邻近单元行而非主阵列(例如，非冗余阵列)中的第一及第三单元行应接收行冲击刷新。在包含DRAM的一些例子中，使用反熔丝来将来自主阵列的行地址重新定位到冗余行地址。但是，在包含混合存储器立方体(HMC)的实施例中，HMC的DRAM可不包含反熔丝，且因此可无法指示行地址是否已被再映射到冗余行地址。在此情况中，HMC的逻辑裸片可监测刷新且参考SRAM查找表以修复地址信息。映射表可记录具有错误的单元行(例如，主阵列的第二行)与所述具有错误的单元行的数据在冗余阵列中的重新定位处之间的对应关系。存取映射表可增加执行行冲击刷新所花费的时段及/或可消耗电力及存取资源。例如，由于冗余阵列可为对应主阵列的较小子集，所以与存取映射表且确定被冲击行的哪些邻近行将被刷新相比，可更有效率地且以较少资源刷新整个冗余阵列。在本专利技术的以下具体实施方式中，参考形成本专利技术的一部分且其中通过说明展示可如何实践本专利技术的一或多个实施例的附图。足够详细地描述这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践本专利技术的实施例，且应了解，在不背离本专利技术的范围的情况下，可利用其它实施例并进行工艺、电及/或结构改变。如本文中使用，标示符“N”(尤其相对于图式中的元件符号)指示可包含被如此标示的若干特定特征。如本文中使用，“若干”特定事物可指代此类事物的一或多者(例如，若干存储器阵列可指代一或多个存储器阵列)。本文中的图遵循编号惯例，其中第一个数字或前几个数字对应于图式图号且剩余数字识别图式中的元件或组件。可通过使用类似数字而识别不同图之间的类似元件或组件。例如，230可指代图2中的元件“30”，且类似元件可在图3中指代为330。如将了解，可添加、交换及/或消除在本文中的各个实施例中展示的元件以提供本专利技术的若干额外实施例。另外，如将了解，图中提供的元件的比例及相对尺度希望说明本专利技术的某些实施例，且不应被视为限制性意义。图1是根据本专利技术的若干实施例的呈包含存储器装置120的计算系统100的形式的设备的框图。如本文中使用，存储器装置120、存储器阵列130及/或控制器140，及/或读取/锁存电路150也可被单独视为“设备”。系统100包含主机110，所述主机110耦合(例如，连接)到包含存储器阵列130的存储器装置120。主机110可为主机系统，例如个人膝上型计算机、桌面计算机、数码相机、智能电话或存储卡读取器，以及各种其它类型的主机。主机110可包含系统主板及/或背板且可包含若干处理资源(例如，一或多个处理器、微处理器或一些其它类型的控制电路)。系统100可包含单独集成电路，或主机110及存储器装置120两者可在相同集成电路上。例如，系统100可为混合存储器立方体(HMC)，其中控制组件(例如，控制器140)可定位于逻辑裸片上且存储器组件(例如，存储器阵列130及冗余阵列132)可定位于若干堆叠裸片中。为明确起见，系统100已经简化以集中在与本专利技术特定相关的特征。存储器阵列130可为例如DRAM阵列、SRAM阵列、STTRAM阵列、PCRAM阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括：主部分；及冗余部分；及刷新电路，其经配置以响应于确定冲击事件而刷新所述冗余部分的至少一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.05 US 15/090,7711.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括：主部分；及冗余部分；及刷新电路，其经配置以响应于确定冲击事件而刷新所述冗余部分的至少一部分。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述确定所述冲击事件包含确定已按阈值速率存取存储器单元群组。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述确定所述冲击事件包含确定存储器单元群组在刷新窗口内已被存取阈值次数。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述冗余部分的所述部分包括耦合到不同存取线的至少两个存储器单元群组。5.根据权利要求1到4中任一项所述的设备，其中：所述冲击事件与耦合所述冗余部分中的存储器单元群组的被冲击存取线相关联；所述被冲击存取线对应于所述主部分的特定经再映射存取线；及不响应于所述确定所述冲击事件而刷新邻近于所述特定经再映射存取线的至少一个存取线。6.根据权利要求1到4中任一项所述的设备，其中所述设备包含耦合到所述刷新电路且经配置以确定冲击事件的控制器。7.根据权利要求1到4中任一项所述的设备，其中所述设备包括混合存储器立方体，且其中所述刷新电路定位于所述混合存储器立方体的逻辑裸片上。8.一种设备，其包括：存储器阵列，其中所述存储器阵列包括：主部分；及冗余部分；刷新电路，其耦合到所述存储器阵列以：响应于确定冲击事件而刷新所述冗余部分；及避免响应于所述确定所述冲击事件而刷新所述主部分的一部分；其中所述主部分的所述部分是邻近于所述主部分的第二存储器单元群组的第一存储器单元群组。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二存储器单元群组的物理地址经映射到所述冗余部分。10.根据权利要求8所述的设备，其中其物理地址已被映射到所述冗余部分的所述存储器单元群组是有缺陷的。11.根据权利要求8所述的设备，其中所述经确定冲击事件发生于耦合到所述冗余部分的存取线的单元群组上。12.根据权利要求8到11中任一项所述的设备，其包括控制器，所述控制器经配置以响应于试图存取其物理地址已被映射到所述冗余部分的所述主部分中的所述存储器单元群组而存取所述物理地址所映射到的所述冗余部分的一部分。13.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·N·赫登，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US