太阳能电池用多晶硅片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池用多晶硅片的制备方法。所述制备方法在进行多晶硅锭制备及提纯的过程中首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，并通过降温使硅从硅合金熔体中长出，完成多晶硅锭的第一次提纯；在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，在多晶硅凝固的过程中，多晶硅内的杂质要进行分凝，凝固的部分将杂质排到未凝固的熔体中，实现已凝固材料的提纯，因为设置有多个电磁约束熔炼器，每个电磁约束熔炼器都会产生相应的区域熔炼熔池，区域熔炼熔池分别对多晶硅锭进行提纯，因而，进一步的提高了制备的多晶硅锭的纯度，从而使得制备的多晶硅片的纯度较高，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池用多晶硅片的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池用硅片制备方法
，尤其涉及一种太阳能电池用多晶硅片的制备方法。
技术介绍
太阳能作为可再生能源，具有清洁无污染，取之不尽，用之不竭等优点，是解决当前能源危机的理想选择。硅基太阳能主要利用光生伏特效应将光能转化为太阳能，由于硅是地壳中含量最丰富的元素，因此硅基太阳能是未来最经济且最有前途的能源。冶金法提纯多晶硅相对于改良西门子法具有成本低，工艺简单，污染少，投资少的特点，是当前最优的多晶硅提纯方法。冶金法主要是利用杂质元素的分凝效应来提纯金属的方法，理论上冶金法提纯多晶硅的极限纯度为7N，提纯的主要杂质为金属元素、硼及磷等元素，合金定向凝固提纯法是冶金法的一种，迄今为止常用的合金体系有：铝-硅、硅-铁、铜-硅、硅-锡等。但是现有技术中冶金法提纯多晶硅的缺点在于：纯度较低，进而造成制备的多晶硅片的纯度较低，影响了生产的太阳能电池的光电转换效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种能够提高制备的太阳能电池用多晶硅片的纯度的制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种太阳能电池用多晶硅片的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池用多晶硅片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：通过多晶硅锭制备及提纯装置（22）制备并提纯多晶硅锭，将所述多晶硅锭取出通过第一传送装置（26）传送给多晶硅锭切割装置（23）进行处理；多晶硅锭切割装置（23）对所述多晶硅锭进行切割，切割成厚度满足需要的多晶硅片，然后将所述多晶硅片通过第二传送装置（27）传送给硅片裁切装置（24）进行处理；硅片裁切装置（24）对所述多晶硅片进行裁切处理，使裁切后的多晶硅片的外形满足需求，然后将裁切后的多晶硅片通过第三传送装置（28）传送给多晶硅制绒装置（26）进行制绒处理，使所述多晶硅片的表面形成绒面；对形成绒面后的多晶硅片使用清洗设备（29）以...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池用多晶硅片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：通过多晶硅锭制备及提纯装置（22）制备并提纯多晶硅锭，将所述多晶硅锭取出通过第一传送装置（26）传送给多晶硅锭切割装置（23）进行处理；多晶硅锭切割装置（23）对所述多晶硅锭进行切割，切割成厚度满足需要的多晶硅片，然后将所述多晶硅片通过第二传送装置（27）传送给硅片裁切装置（24）进行处理；硅片裁切装置（24）对所述多晶硅片进行裁切处理，使裁切后的多晶硅片的外形满足需求，然后将裁切后的多晶硅片通过第三传送装置（28）传送给多晶硅制绒装置（26）进行制绒处理，使所述多晶硅片的表面形成绒面；对形成绒面后的多晶硅片使用清洗设备（29）以及烘干设备（30）分别进行清洗和烘干处理后得到太阳能电池用多晶硅片。2.如权利要求1所述的太阳能电池用多晶硅片的制备方法，其特征在于，通过多晶硅锭制备及提纯装置（22）制备并提纯多晶硅锭的方法如下：配制硅铝合金、硅铜合金或硅铁合金，并将所述硅铝合金、硅铜合金或硅铁合金放置于炉体的坩埚（18）内，所述坩埚（18）位于坩埚支撑（17）内，坩埚支撑（17）的底部设置有坩埚杆（20），所述坩埚杆（20）的下端位于炉体（21）外，通过控制所述炉体（21）外的坩埚杆旋转驱动装置驱动所述坩埚（18）旋转；坩埚支撑（17）的外侧设置有加热器（16），然后通过加热器（16），给坩埚（18）内的硅合金进行加热熔炼硅合金，直至熔化均匀；所述炉体（21）的顶部设置有籽晶杆（1），所述籽晶杆（1）的一端位于炉体内，籽晶杆（1）位于炉体内的一端设置有籽晶（1），籽晶杆（1）的另一端位于炉体（21）外，位于炉体（21）外的籽晶杆（1）上设置有籽晶杆升降及旋转驱动装置，利用籽晶杆升降及旋转驱动装置驱动籽晶杆（1）降下籽晶（2）至所述坩埚（18）的熔体内，降低加热器（16）的功率，直至硅从硅合金熔体（19）中长出，形成多晶硅锭（3），然后提拉籽晶杆（1）；所述坩埚（18）的上方设置有偶数个电磁约束熔炼器，所述电磁约束熔炼器用于产生区域熔炼熔池，通过区域熔炼熔池对多晶硅锭进行进行熔化加热的同时进行电磁约束，所述电磁约束熔炼器从下到上设置，且相邻的所述熔炼器左右错开设置，上一个所述电磁约束熔炼器的高度高于相邻的下侧的电磁约束熔炼器的高度，分别为电磁约束熔炼器a（14）、电磁约束熔炼器b（12）、电磁约束熔炼器c（10）、电磁约束熔炼器d（8），依次类推直到最后上侧的第偶数个电磁约束熔炼器，所述籽晶杆在左右方向上位于电磁约束熔炼器之间；当提拉的多晶硅锭（3）的肩部超过电磁约束熔炼器b（12）的上部时，同时启动电磁约束熔炼器a（14）和电磁约束熔炼器b（12），在多晶硅锭（3）提拉过程中，通过电磁约束熔炼器的位置探测器（8-3）来控制电磁约束熔炼器a（14）和电磁约束熔炼器b（12）与多晶硅锭（3）的距离；通过厚度探测器a（15）控制电磁约束熔炼器a（14）所产生区域熔炼熔池a（7）的深度；通过厚度探测器b（12）控制电磁约束熔炼器b（13）所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟静，
申请(专利权)人：孟静，
类型：发明
国别省市：河北,13