【技术实现步骤摘要】
一种采用水环式真空泵的直拉单晶炉装置
本技术涉晶体制造设备
，具体涉及一种采用水环式真空泵的直拉单晶炉装置。
技术介绍
目前硅单晶的生产方法以直拉法为主，世界上硅单晶的产量中70%-80%是用直拉法生产的。常用的直拉法生产硅单晶工艺是采用即像真空工艺又像流动气氛工艺的减压拉晶工艺。减压拉晶工艺是在硅单晶拉制过程中，连续均匀地向单晶炉炉膛内通入惰性气体（一般采用高纯度的氩气），同时真空泵不断地从炉膛向外抽气，保持炉膛内真空度。这种工艺既有真空工艺的特点（炉膛内保持负压），又有流动气氛工艺的特点（不断充气，不断排气）。采用这种工艺可以在硅单晶生长过程中，使向炉膛内充入的高纯度氩气气流从上而下地贯穿整个硅单晶生长的区域，及时地带走由于高温而产生出来的硅氧化物和杂质挥发物，确保硅单晶的品质。根据现在最常用的硅单晶直拉法减压拉晶工艺，真空系统一般都配备滑阀式真空泵。但随着大直径、重掺杂等特殊要求的硅单晶需求量的增加，对单晶炉设备的要求也越来越高，采用滑阀式真空泵的缺点也日益显现，滑阀泵是用油来保持密封的机械真空泵的，由于它的滑阀环与泵腔有一定间隙，两者不接触，可抽含有...
【技术保护点】
1.一种采用水环式真空泵的直拉单晶炉装置，包括直拉单晶炉装置，其特征在于：所述直拉单晶炉装置包括拉伸腔和炉膛，在所述拉伸腔和炉膛之间设有隔离阀，滑阀真空泵通过管路分别连接于所述拉伸腔和炉膛，在所述滑阀真空泵与所述拉伸腔之间的管路上设有第一真空球阀，在所述滑阀真空泵与所述炉膛之间的管路上设有第二真空球阀；水环式真空泵通过管路及第三真空球阀连接于所述炉膛；氩气瓶设在所述直拉单晶炉装置的一侧，所述氩气瓶通过管路分别连接于所述拉伸腔和炉膛，在所述氩气瓶与所述拉伸腔之间的管路上设有第一氩气阀门，在所述氩气瓶与所述炉膛之间的管路上设有质量流量控制器及第二氩气阀门。
【技术特征摘要】
1.一种采用水环式真空泵的直拉单晶炉装置，包括直拉单晶炉装置，其特征在于：所述直拉单晶炉装置包括拉伸腔和炉膛，在所述拉伸腔和炉膛之间设有隔离阀，滑阀真空泵通过管路分别连接于所述拉伸腔和炉膛，在所述滑阀真空泵与所述拉伸腔之间的管路上设有第一真空球阀，在所述滑阀真空泵与所述炉膛之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，龚瑞，
申请(专利权)人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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