一种多晶硅铸锭方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅铸锭方法，包括：在坩埚底部铺设多个呈阵列排布的单晶硅片，相邻单晶硅片之间具有预设间距；在预设间距内填充多晶硅颗粒；在单晶硅片上放置硅料，对坩埚进行加热，使硅料熔化；当所有硅料熔化后，停止加热，控制熔融状态的硅料在单晶硅片表面成核生长形成多晶硅锭。本发明专利技术所提供的多晶硅铸锭方法，采用单晶硅片作为籽晶，由于单晶位错低，单晶硅片表面外延生长晶体继承单晶低位错特点，从根本上降低晶体底部位错形态，从而达到快速提升硅片转化效率结果。

A Method of Polycrystalline Silicon Ingot Casting

The invention discloses a polycrystalline silicon ingot method, which comprises: laying a plurality of single crystal silicon wafers arranged in arrays at the bottom of the crucible, having a preset spacing between adjacent single crystal silicon wafers; filling polycrystalline silicon particles in the preset spacing; placing silicon material on the single crystal silicon wafer, heating the crucible, and melting all silicon materials; After annealing, the heating is stopped and the melted silicon is controlled to nucleate and grow on the surface of single crystal silicon wafer to form polycrystalline silicon ingot. The polycrystalline silicon ingot method of the invention adopts single crystal silicon wafer as seed crystal. Because of the low dislocation of single crystal, the epitaxy growth crystal on the surface of single crystal silicon wafer inherits the low dislocation characteristics of single crystal, fundamentally reduces the dislocation shape at the bottom of the crystal, and thus achieves the result of rapidly improving the conversion efficiency of the silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭方法
本专利技术涉及多晶硅铸锭领域，特别是涉及一种多晶硅铸锭方法。
技术介绍
太阳能资源丰富，分布广泛，是最具发展潜力的可再生能源。太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。多晶半融工艺是多晶硅铸锭工艺中的一种，主要采用细小颗粒硅或碎片铺垫坩埚底部，加热、熔化，并使硅液母相在籽晶表面快速成核生长；目前，半熔工艺中在坩埚底部铺设籽晶一般采用单晶或多晶颗粒作为籽晶铺设，但是存在成品转化率低的问题和位错缺陷高的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种多晶硅铸锭方法，解决了目前多晶硅铸锭所存在的成品率低，且存在位错缺陷高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种多晶硅铸锭方法，包括：在坩埚底部铺设多个呈阵列排布的单晶硅片，相邻所述单晶硅片之间具有预设间距；在所述预设间距内填充多晶硅颗粒；在所述单晶硅片上放置硅料，对所述坩埚进行加热，使所述硅料熔化；当所有所述硅料熔化后，停止加热，控制熔融状态的所述硅料在所述单晶硅片表面成核生长形成多晶硅锭。其中，所述单晶硅片背离所述坩埚底部的表面为110晶面或221晶面。其中，相邻两个所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅铸锭方法，其特征在于，包括：在坩埚底部铺设多个呈阵列排布的单晶硅片，相邻所述单晶硅片之间具有预设间距；在所述预设间距内填充多晶硅颗粒；在所述单晶硅片上放置硅料，对所述坩埚进行加热，使所述硅料熔化；当所有所述硅料熔化后，停止加热，控制熔融状态的所述硅料在所述单晶硅片表面成核生长形成多晶硅锭。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭方法，其特征在于，包括：在坩埚底部铺设多个呈阵列排布的单晶硅片，相邻所述单晶硅片之间具有预设间距；在所述预设间距内填充多晶硅颗粒；在所述单晶硅片上放置硅料，对所述坩埚进行加热，使所述硅料熔化；当所有所述硅料熔化后，停止加热，控制熔融状态的所述硅料在所述单晶硅片表面成核生长形成多晶硅锭。2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭方法，其特征在于，所述单晶硅片背离所述坩埚底部的表面为110晶面或221晶面。3.根据权利要求2所述的多晶硅铸锭方法，其特征在于，相邻两个所述单晶硅片之间的所述预设间距不大于20mm。4.根据权利要求3所述的多晶硅铸锭方法，其特征在于，相邻两个所述单晶硅片之间的所述预设间距为2～5mm。5.根据权利要求3所述的多晶硅铸锭方法，其特征在于，所述预设间距包括第一预设间...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭水根，龙昭钦，周慧敏，徐志群，周成，冷金标，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36