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本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，包括：在坩埚底部铺设多个呈阵列排布的单晶硅片，相邻单晶硅片之间具有预设间距；在预设间距内填充多晶硅颗粒；在单晶硅片上放置硅料，对坩埚进行加热，使硅料熔化；当所有硅料熔化后，停止加热，控制熔融状态的硅料在单晶硅...
该专利属于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司授权不得商用。

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