使用羰基钼前驱体沉积钼薄膜制造技术

本文公开了过渡金属前体以及使用这些前体沉积金属薄膜的方法。还公开了这些前体和方法的有益性能，以及可用所述前体和方法获得的优异的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用羰基钼前驱体沉积钼薄膜
本专利技术涉及使用羰基钼(Mo)前驱体通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)制备薄膜的方法，以及通过上述方法制备的钼薄膜。
技术介绍
各种的有机金属前驱体被用来形成薄金属膜。各种的技术已经被采用来沉积薄膜。这些技术包括反应溅射，离子辅助沉积，溶胶—凝胶沉积，CVD(也称为金属有机CVD或MOCVD)和ALD(也称为原子层外延)。CVD和ALD工艺，因成分控制良好，膜均匀性高，掺杂控制良好，并且，显著地，在高度非平面的微电子器件几何形状上提供优异的共形台阶覆盖，从而正被越来越广泛地应用CVD是一种化学工艺，利用前驱体在基底上形成薄膜。在典型的CVD工艺中，前驱体在低压或环境压力的反应室中经过基底(例如，晶片)。前驱体在基底表面上反应和/或分解，产生沉积材料的薄膜。气体流过反应室，除去挥发性副产物。沉积的薄膜厚度可能难以控制，因为它受多个参数，如温度、压力、气体流量和均匀性、化学损耗效果和时间的共同影响。ALD也是沉积薄膜的方法。它是一种基于表面反应的自限制的、连续的、独特的薄膜生长技术，可以精确地控制薄膜厚度，并将前驱体提供的材料的共形薄膜沉积到不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过沉积工艺形成含钼的薄膜的方法，所述方法包括输送至少一种公式[CH3(Cl)2P]Mo(CO)5的有机金属前驱体输送到基底。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.19 US 62/297,4691.一种通过沉积工艺形成含钼的薄膜的方法，所述方法包括输送至少一种公式[CH3(Cl)2P]Mo(CO)5的有机金属前驱体输送到基底。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺为化学气相沉积。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积选自包括脉冲化学气相沉积，液体喷射化学气相沉积和连续流化学气相沉积的组。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积为脉冲化学气相沉积。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺是原子层沉积。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述原子层沉积为液体喷射原子层沉积或等离子体增强原子层沉积。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的温度为从250℃至450℃。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述温度为从300℃至350℃。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述温度为从330℃至345℃。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺在从0.2托至10托的腔室的压力下进行。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述压力从0.7托至2托。12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述压力为从0.7托至1.3托。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，有机金属前驱体暴露每1秒，将所述基底暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：查尔斯·迪泽兰，约翰·塞巴斯蒂安·莱恩，刘国，马克·C·博迪恩，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE