由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料及使用该化学蒸镀用原料的化学蒸镀法制造技术

本发明专利技术涉及一种由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料，其用于通过化学蒸镀法制造钌薄膜或钌化合物薄膜，其中，该双核钌配合物由下式(1)表示，其是通过羰基及含氮的有机配位体(L)配位于金属键结的2个钌而成的。根据本发明专利技术的原料可以制造高纯度的钌薄膜，且熔点较低，并兼具适度的热稳定性。因此，适合应用于各种设备的电极等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料及使用该化学蒸镀用原料的化学蒸镀法
本专利技术涉及一种用于通过CVD法、ALD法的化学蒸镀法制造钌薄膜或钌化合物薄膜的由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料。具体而言，本专利技术涉及一种具有适度的热稳定性、且在常温下能够形成液体钌薄膜等的化学蒸镀用原料。
技术介绍
作为组装到集成电路(LSI、ULSI、CPU)中的晶体管(FET)或闪速存储器等各种设备的电极，应用了钌(Ru)薄膜或钌化合物薄膜。这些电极要求微细化、立体化等构造方面的改进，同时也要求为了低电阻化而排除掉杂质的钌薄膜。作为这种钌薄膜的制造，采用了化学蒸镀法(化学气相沉积法(CVD法)、以及原子层沉积法(ALD法))。作为利用化学蒸镀法制造钌薄膜用的原料，以往已知有许多有机钌化合物。例如，作为可制造高纯度的钌薄膜的化合物，例如有专利文献1或专利文献2所记载的由有机钌化合物构成的化学蒸镀用原料。对于上述专利文献中所记载的配合物，在其用作化学蒸镀用原料的情况下，由于配位体在分解时容易作为气体而放出，不易掺入到薄膜中，因而容易形成高纯度的钌薄膜。具体而言，专利文献1中记载了一种12个羰基配位体与钌配本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料，其用于通过化学蒸镀法制造钌薄膜或钌化合物薄膜，其中，所述双核钌配合物由下式(1)表示，其是通过羰基及含氮的有机配位体(L)配位于金属键结的2个钌上而成的：[化1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.25 JP 2015-1653401.一种由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料，其用于通过化学蒸镀法制造钌薄膜或钌化合物薄膜，其中，所述双核钌配合物由下式(1)表示，其是通过羰基及含氮的有机配位体(L)配位于金属键结的2个钌上而成的：[化1]式中，L为由下式所示的(L-1)或(L-2)中任一者所示的配位体，其为含有1个氮原子的有机配位体：[化2]式中，*为与钌桥联配位的原子的位置；R1至R8可彼此相同或不同，分别为氢原子、碳原子数为1以上4以下的烷基中的任一种。2.根据权利要求1所述的化学蒸镀用原料，其中，R1至R3的碳原子数的总和为3以上10以下。3.根据权利要求1所述的化学蒸镀用原料，其中，R4至R8的碳原子数的总和为2以上10以下。4.根据权利要求1至3中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田了辅，重富利幸，石坂翼，青山达贵，
申请(专利权)人：田中贵金属工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP