【技术实现步骤摘要】
一种多甲基丙烯酰氧基倍半硅烷的制备方法
本专利技术属于POSS制备
,具体涉及一种多甲基丙烯酰氧基倍半硅烷的制备方法。
技术介绍
多面低聚倍半硅烷(简称POSS)是一种纳米尺度笼状结构的化合物,又称立方硅烷,分子通式为(RSiO1.5)n,基本结构单元是—Si—O—,整个分子的尺度在1~3nm之间,是最小的硅颗粒。其分子以硅氧骨架为核心,八个Si顶点处连接有机取代基团,无机的硅氧骨架能够赋予材料良好的耐热和机械性能,外围的有机基团设计为反应性基团如烯烃基、硅醇基、丙烯酰氧基等,通过反应性基团可将POSS与有机聚合物进行表面键和、接枝、共聚等反应,结合纳米尺寸效应,使得POSS改性的高分子聚合物具有良好的性能。目前,国内外相关报道的多官能化基团POSS合成多集中于Tn形式,采用三氯(甲氧基,乙氧基)有机硅烷在溶剂条件下水解缩合获得,该过程周期很长,产量及效率很低,副产物多且分离纯化相对困难。采用QxMy形式合成八聚四甲基铵POSS铵盐,再经过一步取代,将甲基丙烯酰氧基基团直接连接在顶角Si处的POSS合成的文献和专利至今还未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的 ...
【技术保护点】
1.一种多甲基丙烯酰氧基倍半硅烷的制备方法,其特征在于:所述的方法步骤如下:步骤一:按照1:1的摩尔比称取正硅酸四乙酯和四甲基氢氧化铵,然后将四甲基氢氧化铵溶解在乙醇水溶液中,得到0.08~0.2g/mL的四甲基氢氧化铵溶液,再滴加正硅酸四乙酯,其中,所述的乙醇水溶液中乙醇和水的体积比为8:1;步骤二:在搅拌条件下,将步骤一得到的混合溶液放置在25℃环境下反应24h,然后升温至60℃反应6h,反应结束后,自然冷却至室温;步骤三:将步骤二得到的产物经过旋蒸浓缩至剩余三分之一的体积,25℃室温下冷却结晶过滤,用丙酮沉淀,沉淀在45℃温度下烘干1h,得到八聚四甲基铵POSS铵盐; ...
【技术特征摘要】
1.一种多甲基丙烯酰氧基倍半硅烷的制备方法,其特征在于:所述的方法步骤如下:步骤一:按照1:1的摩尔比称取正硅酸四乙酯和四甲基氢氧化铵,然后将四甲基氢氧化铵溶解在乙醇水溶液中,得到0.08~0.2g/mL的四甲基氢氧化铵溶液,再滴加正硅酸四乙酯,其中,所述的乙醇水溶液中乙醇和水的体积比为8:1;步骤二:在搅拌条件下,将步骤一得到的混合溶液放置在25℃环境下反应24h,然后升温至60℃反应6h,反应结束后,自然冷却至室温;步骤三:将步骤二得到的产物经过旋蒸浓缩至剩余三分之一的体积,25℃室温下冷却结晶过滤,用丙酮沉淀,沉淀在45℃温度...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄玉东,王昱璎,刘丽,贺金梅,张润泽,吴帆,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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