掩模板制造技术

本实用新型专利技术提供一种掩模板，包括：掩模板本体，所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽，所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔，且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。本实用新型专利技术通过掩模板的结构改进，在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽，能够解决现有技术进行材料蒸镀时，基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
掩模板
本技术涉及显示装置制造
，尤其是指一种掩模板。
技术介绍
在有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)制造过程中，通常采用高精度金属掩模板(FineMetalMask，FMM)作为蒸镀掩模板，将发光材料蒸镀在阵列基板上对应的开口区域形成OLED器件。如图1所示，当采用金属掩模板1在待蒸镀基板2上进行材料蒸镀时，金属掩模板1与待蒸镀基板2相贴合，蒸发源3设置于金属掩模板1远离待蒸镀基板2的一侧，经蒸发源3所蒸发出的蒸镀材料穿过金属掩模板1上对应的开孔11沉积在待蒸镀基板2上，在待蒸镀基板2上形成对应的图形。在采用图1所示设置结构进行蒸镀过程中，蒸发源3能够相对于金属掩模板1平移，在蒸发源3平移进行蒸镀时，由于开孔11位置处金属掩模板1对蒸镀材料的遮挡，形成内阴影(InnerShadow)效应，造成待蒸镀基板2上形成金属蒸镀图形膜厚不均，如图1所示，待蒸镀基板2上A区域范围内的蒸镀材料相较于中央区域B范围内的蒸镀材料厚度薄，从而使得待蒸镀基板2上有效显示区边缘膜厚均一性差，致使显示时出现边缘不良。
技术实现思路
本技术技术方案的目的是提供一种掩模板，用于通过掩模板的结构改进，解决现有技术进行材料蒸镀时，基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。本技术实施例提供一种掩模板，其中，包括：掩模板本体，所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽，所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔，且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。可选地，所述的掩模板，其中，在所述掩模板本体上，所述第一开槽的数量与所述开孔的数量相等，每一所述第一开槽内均设置有一个所述开孔。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一开槽的底面尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一开槽的底面的形状、尺寸与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状、尺寸一致。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一开槽的侧壁面垂直于所述第一表面，或者相对于所述第一表面倾斜。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的形状与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状相同。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一预设深度位于所述掩模板本体的厚度的四分之一至四分之三之间。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一预设深度为所述掩模板本体的厚度的二分之一。可选地，所述的掩模板，其中，所述第二表面上设置有具有第二预设深度的第二开槽。可选地，所述的掩模板，其中，所述第一预设深度与所述第二预设深度之和小于或等于所述掩模板本体的厚度。本技术具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：本技术实施例所述掩模板，通过在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽，使待蒸镀基板上沉积蒸发材料均一性较差区域的尺寸范围减小，从而达到改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差问题的效果。附图说明图1为现有技术掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图；图2为本技术其中一实施例所述掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图；图3为本技术其中一实施例所述掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图；图4为本技术其中一实施例所述掩模板的平面结构示意图；图5为本技术其中一实施例所述掩模板的平面结构示意图；图6为本技术其中一实施例所述掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图；图7为本技术其中一实施例所述掩模板的剖面结构示意图。具体实施方式为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。为解决现有技术进行材料蒸镀时，基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题，本技术实施例提供一种掩模板，通过在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽，使用于蒸镀材料通过的开孔设置于开槽内，使得蒸镀材料通过开孔时，减小掩模板对蒸镀材料的遮挡区域，改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。具体地，如图2所示，本技术实施例一所述掩模板100包括：掩模板本体110，其中掩模板本体110的第一表面111上设置有具有第一预设深度的第一开槽112，该第一开槽112的底面1121设置有穿透至第一表面111相对的第二表面113、用于蒸镀材料通过的开孔120，且第一开槽112在第一表面111上所形成开口的尺寸L1大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2。采用本技术实施例所述掩模板，在掩模板本体110的第一表面111上，围绕开孔120设置第一开槽112，根据图2，当在进行材料蒸镀，蒸发源3在掩模板本体110的一侧平移，蒸发源3内的蒸发材料透过开孔沉积至待蒸镀基板2上时，在掩模板本体110的厚度固定，且蒸发材料由蒸发源3蒸出时的角度固定的情况下，若掩模板本体110上未设置第一开槽112，开孔120直接开设在第一表面111上，待蒸镀基板2在A区域范围内形成内阴影效应；若第一表面111上设置第一开槽112，开孔120设置在第一开槽112的底面1121，待蒸镀基板2在A’区域范围内形成内阴影效果；因此，通过第一开槽112的设置，减小了掩模板本体110对蒸发材料的遮挡区域，进一步使待蒸镀基板2上沉积蒸发材料均一性较差区域的尺寸范围减小，从而改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。可以理解的是，掩模板本体110上所设置开孔120的形状和大小依据待蒸镀基板2上所需要沉积形成图形的形状和大小确定。本技术实施例中，掩模板本体110所设置第一开槽112的数量与开孔120的数量相等，每一第一开槽112内均设置有一个开孔120，也即掩模板本体110上每一开孔120的外围均围绕设置有第一开槽112。另外，本技术实施例一中，如图2所示，第一开槽112的底面1121尺寸大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2，可选地，第一开槽112的侧壁面垂直于第一表面111，基于该设置结构，第一开槽112形成为从第一表面111至底面1121处，各位置尺寸相等的结构；另外，第一开槽112的侧壁面也可以相对于第一表面111倾斜，如图3所示，基于该设置结构，第一开槽112形成为从第一表面111至底面1121处，各位置尺寸逐渐减小的结构。本技术实施例中，可选地，第一开槽112在第一表面111上所形成开口的形状与开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的形状相同，可选地，第一开槽112的底面1121的形状与开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的形状也相同，当然并不以此为限，只要能够以本技术所述掩模板的设置原理，达到减小掩模板本体对蒸发材料的遮挡区域即可。具体地，如图4所示为图2中待蒸镀基板2的其中一实施结构的平面结构示意图，图5所示为图3中待蒸镀基板2的其中一实施结构的平面结构示意图，可以理解的是，基于上述设置结构，若开孔120在底面1121的开口形状为四边形时，则第一开槽112在第一表面111上所形成开口的形状也为四边形，且每一位置处，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：掩模板本体，所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽，所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔，且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：掩模板本体，所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽，所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔，且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，在所述掩模板本体上，所述第一开槽的数量与所述开孔的数量相等，每一所述第一开槽内均设置有一个所述开孔。3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一开槽的底面尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一开槽的底面的形状、尺寸与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状、尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11