非接触式端面馈电波导同轴转换结构制造技术

本发明专利技术提供了一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，本发明专利技术公开了一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，包括矩形波导和同轴接口，所述同轴接口位于矩形波导口端面上；所述矩形波导腔内有多级不同高度和宽度的台阶，所述台阶高度和宽度依次降低，方向为矩形波导口方向；所述台阶间存在圆形倒角；所述同轴接口内导体与最高台阶面存在间隙，同轴连接器安装于矩形波导端面上；所述最高台阶侧面与波导端面存在间隙；所述同轴连接器的内导体与最高台阶面存在间隙，实现波导同轴转换结构，该波导同轴转换具有低插入损耗和较宽的工作带宽；同时，其结构更方便于工程调试和实现。

【技术实现步骤摘要】
非接触式端面馈电波导同轴转换结构
本专利技术涉及一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构。
技术介绍
波导和同轴连接器或者电缆是雷达系统、通信系统和测试系统中常用的两种传输形式。波导具有低插损、高功率容量的优点；同轴电缆尺寸小，布线灵活。波导同轴转换结构可将二者的优点结合，在大型电子信息、雷达系统中成为必不可少的部件之一。按照波导与同轴连接器的空间关系而论，常用波导同轴变换结构有两种，一种是同轴线垂直于波导宽边馈电，该类结构同轴连接器位于波导宽边上；另一种是同轴线垂直于波导端面馈电，该类结构同轴连接器位于波导端面上。二者各有优缺点，适用于不同场合要求。现有的端面馈电波导同轴变换结构皆为接触式馈电结构，工程实现较为复杂，不易调节，且成本较为昂贵。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构为解决上述问题，本专利技术提供一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，包括矩形波导和同轴连接器，其中，所述矩形波导的腔内设有依次连接的多级不同高度和宽度的台阶，所述各级台阶的高度和宽度不同，所述台阶交界处有圆形倒角，台阶的方向为矩形波导的开口方向；所述最高的台阶的侧面与矩形波导的端面间存在间隙；所述同轴连接器位于所述矩形波导的端面上，所述同轴连接器内设置有导体，所述同轴连接器内的导体为圆柱状，所述同轴连接器内的导体与最高的台阶的上表面存在间隙，形成非接触式结构。进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，所述多级台阶为四级。进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，每级台阶的高度和宽度不同。进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，多级台阶的数量与工作带宽成正比。进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，每级台阶的高度和宽度依次减小，完成阻抗由50欧姆同轴连接器到几百欧波导的过渡。进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，所述台阶的交界处存在圆形倒角，所述圆形倒角用于控制阻抗的渐变进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，同轴连接器的导体与最高的台阶的表面存在间隙，形成非接触式结构，通过调节所述间隙改善非接触式端面馈电波导同轴转换结构的驻波。进一步的，在上述非接触式端面馈电波导同轴转换结构中，所述同轴连接器的导体为圆柱状，所述同轴连接器的导体在预设范围内弯曲，导体的弯曲度用于调整同轴连接器导体与最高台阶间的耦合度，所述间隙与耦合度成正比。与现有技术相比，本专利技术公开了一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，包括包括矩形波导和同轴连接器，其中，所述矩形波导的腔内设有依次连接的多级不同高度和宽度的台阶，所述各级台阶的高度和宽度不同，所述台阶交界处有圆形倒角，台阶的方向为矩形波导的开口方向；所述最高的台阶的侧面与矩形波导的端面间存在间隙；所述同轴连接器位于所述矩形波导的端面上，所述同轴连接器内设置有导体，所述同轴连接器内的导体为圆柱状，所述同轴连接器内的导体与最高的台阶的上表面存在间隙，形成非接触式结构。该波导同轴转换具有低插入损耗和较宽的工作带宽；同时，其结构更方便于工程调试和实现。同轴转换结构的同轴连接器安装于波导端面上，同轴连接器的内导体与最高台阶面存在间隙，实现非接触式波导同轴转换结构。该波导同轴转换具有低插入损耗和较宽的工作带宽，其结构更方便于工程调试和实现，且成本较低。附图说明图1是本专利技术一实施例的非接触式端面馈电波导同轴转换结构的示意图；图2是本专利技术一实施例的波导同轴转换结构的仿真结果图；标号说明：1-矩形波导，2-同轴连接器，3-台阶，4-同轴连接器内的导体，5-台阶的侧面与矩形波导的端面间隙，6-同轴连接器的内导体与最高的台阶的上表面间隙，7-台阶间的圆形倒角。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。如图1所示，本专利技术提供一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，包括矩形波导1和同轴连接器2，其中，所述矩形波导1的腔内设有依次连接的多级不同高度和宽度的台阶3，各级台阶3的和宽度不同，所述台阶的交界处有圆形倒角，台阶3的方向为矩形波导的开口方向；最高的台阶的侧面与矩形波导的端面间存在间隙；所述同轴连接器2位于所述矩形波导1的端面上，所述同轴连接器2内设置有导体4，所述同轴连接器内的导体为圆柱状，所述同轴连接器2内的导体4与最高的台阶的上表面存在间隙6，形成非接触式结构，通过调节所述间隙6改善非接触式端面馈电波导同轴转换结构的驻波。在此，本专利技术公开了一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，包括矩形波导和同轴接口，所述同轴接口位于矩形波导口端面上；所述矩形波导腔内有多级台阶，所述台阶高度和宽度不同，所述台阶高度和宽度依次减小，方向为矩形波导口方向；所述同轴接口内导体与最高台阶面存在间隙，同轴连接器安装于矩形波导端面上，同轴连接器的内导体与最高台阶面存在间隙，实现波导同轴转换结构。该波导同轴转换具有低插入损耗和较宽的工作带宽；同时，其结构更方便于工程调试和实现。同轴转换结构的同轴连接器安装于波导端面上，同轴连接器的内导体与最高台阶面存在间隙，实现非接触式波导同轴转换结构。该波导同轴转换具有低插入损耗和较宽的工作带宽，其结构更方便于工程调试和实现，且成本较低。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，所述多级台阶3为四级。在此，所述台阶级数可随着工作带宽要求变化。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，多级台阶3的数量与工作带宽成正比。在此，随着工作带宽的增大，台阶的级数可随之增加。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，所述台阶3的侧面与所述矩形波导1的端面存在间隙。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，每级台阶的高度和宽度依次减小，完成阻抗由50欧姆同轴连接器到几百欧波导的过渡。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，所述圆形倒角用于控制阻抗的渐变。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，所述同轴连接器的导体与最高的台阶的表面存在间隙，形成非接触式结构，通过调节所述间隙6改善非接触式端面馈电波导同轴转换结构的驻波。本专利技术的非接触式端面馈电波导同轴转换结构一实施例中，所述圆柱状的导体在预设范围内弯曲，导体的弯曲度用于调整同轴连接器导体与最高台阶间的耦合度，所述间隙与耦合度成正比。具体的，图1是非接触式端面馈电波导同轴转换结构的三维图，包括矩形波导1；同轴连接器2；在矩形波导1的腔内设有多级台阶3，改变多级台阶3的宽度和高度可以改善波导同轴转换结构的驻波特性，台阶级数越多，工作带宽越宽。本实施例中台阶级数为四个，前两级台阶宽度较大，其高度依次降低，可以实现阻抗由连接器(50欧姆)到波导口(几百欧姆)的渐变。多级台阶3与矩形波导的端面间存在间隙5，此间隙为了将矩形波导的端面与台阶3进行隔离，从而实现更优的驻波。同轴连接器内的导体4与最高的台阶间存在间隙6，当同轴连接器安装好后，若转换结构的驻波特性有恶化现象，可以通过调整间隙6来进一步改善转换结构的驻波特性，该优化方式较为方便，且成本较低。图2是所述波导同轴转换结构的仿真曲线图，由仿真曲线图可知，该结构具有非常优良的插入损耗和驻波特性。本说明书中各个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，其特征在于，包括矩形波导和同轴连接器，其中，所述矩形波导的腔内设有依次连接的多级不同高度和宽度的台阶，各级台阶的高度和宽度不同，所述台阶的交界处有圆形倒角，台阶的方向为矩形波导的开口方向；最高的台阶的侧面与矩形波导的端面间存在间隙；所述同轴连接器位于所述矩形波导的端面上，所述同轴连接器内设置有导体，所述同轴连接器内的导体为圆柱状，所述同轴连接器内的导体与最高的台阶的上表面存在间隙，形成非接触式结构。

【技术特征摘要】
1.一种非接触式端面馈电波导同轴转换结构，其特征在于，包括矩形波导和同轴连接器，其中，所述矩形波导的腔内设有依次连接的多级不同高度和宽度的台阶，各级台阶的高度和宽度不同，所述台阶的交界处有圆形倒角，台阶的方向为矩形波导的开口方向；最高的台阶的侧面与矩形波导的端面间存在间隙；所述同轴连接器位于所述矩形波导的端面上，所述同轴连接器内设置有导体，所述同轴连接器内的导体为圆柱状，所述同轴连接器内的导体与最高的台阶的上表面存在间隙，形成非接触式结构。2.如权利要求1所述的非接触式端面馈电波导同轴转换结构，其特征在于，多级台阶为四级。3.如权利要求2所述的非接触式端面馈电波导同轴转换结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈玮，陈桂莲，李振海，张理正，
申请(专利权)人：上海航天电子通讯设备研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31