一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，用于保护阵列基板非显示区的GOA电路，并确保阵列基板的工艺良率及显示效果。所述阵列基板包括显示区和非显示区；所述阵列基板还包括衬底基板以及设在所述衬底基板一侧的平坦化层；所述衬底基板与所述非显示区对应且面向所述平坦化层的一侧设有GOA电路；所述平坦化层与所述非显示区对应且背离所述衬底基板的表面设置有阳极金属层；所述阳极金属层在所述衬底基板的正投影覆盖所述GOA电路在所述衬底基板的正投影，且所述阳极金属层镂空设置。本发明专利技术实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置用于OLED显示装置。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称为OLED)，特别是有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixOrganicLightEmittingDiode，简称为AMOLED)，因具有高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点，已在显示领域得到广泛应用。目前，在AMOLED显示面板中，其阵列基板的显示区通常呈阵列状设置有多个像素单元，每个像素单元均包括OLED以及与OLED阳极连接的像素驱动电路；各像素驱动电路分别与GOA(GatedriverOnArray，阵列基板行驱动)电路连接，该GOA电路通常设置在阵列基板的非显示区。此外，OLED设在对应像素驱动电路背离衬底基板的一侧，OLED与对应的像素驱动电路之间通常设置有平坦化层；GOA电路一般设在衬底基板和平坦化层之间。然而，GOA电路的结构复杂，将其小型化集成在阵列基板的非显示区后，GOA电路容易发生静电损伤，导致GOA电路产生致命失效或潜在失效。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用于保护阵列基板非显示区的GOA电路，并确保阵列基板的工艺良率及显示效果。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术实施例的第一方面提供了一种阵列基板，包括显示区和非显示区；该阵列基板还包括衬底基板以及设在衬底基板一侧的平坦化层；衬底基板与非显示区对应且面向平坦化层的一侧设有GOA电路；平坦化层与非显示区对应且背离衬底基板的表面设置有阳极金属层；阳极金属层在衬底基板的正投影覆盖GOA电路在衬底基板的正投影，且阳极金属层镂空设置。本专利技术实施例提供的阵列基板，在平坦化层与非显示区对应且背离衬底基板的表面设置阳极金属层，并使得阳极金属层在衬底基板的正投影覆盖GOA电路在衬底基板的正投影，可以利用阳极金属层对GOA电路进行防静电保护，从而避免GOA电路发生静电损伤。而且，本专利技术实施例提供的阵列基板，将设在平坦化层表面的阳极金属层镂空设置，还可以利用阳极金属层的镂空区域，减少阳极金属层对平坦化层放出气体的阻挡，以确保平坦化层中存在的遇热易挥发的有机物质容易在其烘干工艺中或阵列基板的其他后续工艺中挥发出去，从而避免在阳极金属层面向平坦化层的表面出现气泡集聚，有利于确保阵列基板的工艺良率，进而确保阵列基板的显示效果良好。基于上述阵列基板的技术方案，本专利技术实施例的第二方面提供了一种阵列基板的制作方法；所述阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板，衬底基板包括显示区和非显示区；在衬底基板的一侧依次形成GOA电路和平坦化层，该GOA电路位于上述非显示区；在平坦化层与非显示区对应且背离衬底基板的表面形成阳极金属层，并镂空该阳极金属层。基于上述阵列基板的技术方案，本专利技术实施例的第三方面提供一种显示面板，所述显示面板包括上述技术方案所提供的阵列基板。基于上述显示面板的技术方案，本专利技术实施例的第四方面提供一种显示装置，所述显示装置包括上述技术方案所提供的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的阵列基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为相关技术中阵列基板的像素驱动电路原理图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的B-B’剖视示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的B-B’剖视示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的B-B’剖视示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的B-B’剖视示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的B-B’剖视示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的B-B’剖视示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图。附图标记：1-衬底基板，11-显示区，12-非显示区，13-COF封装区，2-薄膜晶体管，21-有源层，22-栅绝缘层，23-栅极，24-层间绝缘层，25-漏极，26-源极，27-钝化层，3-平坦化层，4-像素界定层，5-OLED，51-阳极，52-发光层，53-阴极，6-阳极金属层，61-非镂空部，62-镂空部，7-阴极走线，71-第一过孔，72-第二过孔，73-第三过孔，74-第四过孔，75-第五过孔，8-数据线，9-GOA电路。具体实施方式为便于理解，下面结合说明书附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置进行详细描述。目前，在采用AMOLED的阵列基板的显示区，通常呈阵列状设置有多个像素单元，其中，同一行的各像素单元共用一条栅线，同一列的各像素单元共用一条数据线。每个像素单元包括OLED以及与OLED阳极连接的像素驱动电路；所述像素驱动电路的电路原理图如图1所示，该像素驱动电路包括开关用薄膜晶体管T1、驱动用薄膜晶体管T2以及存储电容；开关用薄膜晶体管T1的栅极与栅线Gate连接，开关用薄膜晶体管T1的源极与数据线Data连接，开关用薄膜晶体管T1的漏极分别与驱动用薄膜晶体管T2的栅极以及存储电容的一个极板C1连接，驱动用薄膜晶体管T2的源极分别与存储电容的另一个极板C2以及电源线Vdd连接，驱动用薄膜晶体管T2的漏极与OLED的阳极连接。上述各像素驱动电路一般通过设在阵列基板的非显示区的GOA(GateDriveronArray，阵列基板行驱动)电路进行驱动。由于各像素驱动电路和GOA电路的结构比较复杂，通常会在各像素驱动电路和GOA电路背离衬底基板的一侧设置厚度较大的平坦化层，以便将阵列基板的各OLED设在一平面。然而，由于GOA电路的结构比较复杂，阵列基板的非显示区通常还设有其他多种类型的诸如数据线引线、栅线引线以及电源引线等的外围信号线，使得在将GOA电路小型化集成在阵列基板的非显示区后，GOA电路容易发生静电损伤，导致GOA电路产生致命失效或潜在失效。由此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，请参阅图2-图8，该阵列基板包括显示区11和非显示区12；还包括衬底基板1以及设在衬底基板1一侧的平坦化层3，衬底基板1与非显示区12对应且面向平坦化层3的一侧设有GOA电路9；平坦化层3与非显示区12对应且背离衬底基板1的表面设置有阳极金属层6；阳极金属层6在衬底基板1的正投影覆盖GOA电路9在衬底基板1的正投影，且阳极金属层6镂空设置。本专利技术实施例提供的阵列基板，在平坦化层3与非显示区12对应且背离衬底基板1的表面设置阳极金属层6，并使得阳极金属层6在衬底基板1的正投影覆盖GOA电路9在衬底基板1的正投影，可以利用阳极金属层6对GOA电路9进行防静电保护，从而避免GOA电路9发生静电损伤，以确保阵列基板的可靠性。此外，由于平坦化层3一般采用有机树脂材料制作形成，平坦化层3中存在有部分遇热易挥发的有机物质，比如有机溶剂或小分子材料等，容易在阵列基板后续的制作工艺中遇热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括显示区和非显示区；其特征在于，所述阵列基板还包括衬底基板以及设在所述衬底基板一侧的平坦化层；所述衬底基板与所述非显示区对应且面向所述平坦化层的一侧设有GOA电路；所述平坦化层与所述非显示区对应且背离所述衬底基板的表面设置有阳极金属层；所述阳极金属层在所述衬底基板的正投影覆盖所述GOA电路在所述衬底基板的正投影，且所述阳极金属层镂空设置。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区和非显示区；其特征在于，所述阵列基板还包括衬底基板以及设在所述衬底基板一侧的平坦化层；所述衬底基板与所述非显示区对应且面向所述平坦化层的一侧设有GOA电路；所述平坦化层与所述非显示区对应且背离所述衬底基板的表面设置有阳极金属层；所述阳极金属层在所述衬底基板的正投影覆盖所述GOA电路在所述衬底基板的正投影，且所述阳极金属层镂空设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层与所述显示区对应且背离所述衬底基板的表面阵列设置有OLED；所述OLED包括相对设置的阳极和阴极，以及设在所述阳极和所述阴极之间的发光层；所述阳极金属层与所述OLED的阳极同层设置。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区设置有阴极走线，所述阴极走线位于所述平坦化层面向所述衬底基板的一侧；所述阳极金属层在所述衬底基板的正投影不覆盖所述阴极走线在所述衬底基板的正投影；所述平坦化层与所述阴极走线对应的部分设置有至少一个第一过孔，所述OLED的阴极通过所述至少一个第一过孔与所述阴极走线连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极金属层与所述OLED的阴极之间形成有像素界定层；所述像素界定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述阳极金属层在所述衬底基板的正投影，且不覆盖所述阴极走线在所述衬底基板的正投影；所述像素界定层与所述阳极金属层对应的部分设置有至少一个第二过孔，所述OLED的阴极还通过所述至少一个第二过孔与所述阳极金属层的非镂空部连接。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区设置有阴极走线，所述阴极走线位于所述平坦化层面向所述衬底基板的一侧；所述OLED的阴极通过所述阳极金属层与所述阴极走线连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极金属层包括镂空部和非镂空部；所述OLED的阴极与所述阳极金属层的非镂空部连接，且所述OLED的阴极不覆盖所述阳极金属层的镂空部。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极金属层与所述OLED的阴极之间形成有像素界定层；所述像素界定层覆盖所述阳极金属层的镂空部。8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极金属层的非镂空部包括第一连接部和第二连接部；所述第一连接部为所述阳极金属层与所述OLED的阴极连接的部分，所述第二连接部为所述阳极金属层与所述阴极走线连接的部分；所述第一连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影重合；或，所述第一连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影部分重合；或，所述第一连接部在所述衬底基板的正投影、与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影之间具有间隔。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极金属层与所述OLED的阴极之间形成有像素界定层；所述第一连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影重合时，所述平坦化层与所述第二连接部对应的部分设置有至少一个第三过孔，所述阳极金属层的第一连接部通过所述至少一个第三过孔与所述阴极走线连接；所述第一连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影部分重合，且所述像素界定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二连接部在所述衬底基板的正投影时，所述平坦化层与所述第二连接部对应的部分设置有至少一个第三过孔，所述像素界定层与所述第一连接部对应的部分设置有至少一个第四过孔，所述像素界定层与所述第二连接部对应的部分设置有至少一个第五过孔；所述OLED的阴极通过所述至少一个第四过孔与所述第一连接部连接，所述OLED的阴极还通过所述至少一个第五过孔与所述第二连接部连接；所述第二连接部通过所述至少一个第三过孔与所述阴极走线连接；所述第一连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影部分重合，且所述像素界定层在所述衬底基板的正投影不覆盖所述第二连接部在所述衬底基板的正投影时，所述平坦化层与所述第二连接部对应的部分设置有至少一个第三过孔，所述像素界定层与所述第一连接部对应的部分设置有至少一个第四过孔；所述OLED的阴极通过所述至少一个第四过孔与所述第一连接部连接，且所述OLED的阴极还...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11