功率器件及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件，其包括基板及设置在所述基板上的芯片，所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件，所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度，所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。本发明专利技术还提供功率器件的封装方法，增强芯片的散热效率和驱动性能，缩小芯片封装后的尺寸，降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
功率器件及其封装方法
本专利技术涉及功率半导体芯片封装工艺
，尤其涉及功率器件及其封装方法。
技术介绍
目前，功率芯片都能够拥有良好的电，热性能和工作可靠性，这些都导致芯片在使用过程中承受越来越多的高温或温度漂移，高温对功率电子产品的可靠性及快速老化有很大影响，而过高温度以及温度循环常常直接导致产品提前失效。传统功率芯片封装形式采用直接焊接到覆铜陶瓷基板上，再将贴好芯片的覆铜陶瓷基板连接到散热片，这种封装形式称为单面封装，单面封装的散热通道主要为芯片产生的热量经过粘接层传到覆铜陶瓷基板，再经由另一粘接层传到散热片，最后散热片与空气对流传热或水冷将热量散发，然而单面封装形式中热量传递方向为由芯片到散热片单方向传递，尽管可使用导热系数更大的连接材料或设计具备更佳散热能力的散热片来增加结构的整体散热能力有限，从而导致芯片热扩散效率低，在不增加芯片面积的情况下，若增加散热层还会增加制造成本。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术为了实现从发热源头解决功率器件芯片散热问题，提供一种功率器件，可以实现芯片内部增加导热组件和芯片背面设置散热片，增加了功率器件的热耗散，提高了芯片工作可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件，其特征在于：其包括基板及设置在所述基板上的芯片，所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件，所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度，所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于：其包括基板及设置在所述基板上的芯片，所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件，所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度，所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件还包括第一粘附层、第二粘附层及散热片，所述第二金属层通过所述第一粘附层与所述基板连接，所述基板通过所述第二粘附层与所述散热片连接。3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述芯片还包括形成在所述衬底上与所述衬底的导电类型相同的外延层及形成在所述外延层的有源区，所述沟槽从所述衬底的下表面向所述衬底的上表面开设，所述沟槽底部到所述外延层的下表面之间的距离大于所述外延层的厚度。4.一种根据权利要求1所述的功率器件的封装方法，其特征在于：S1：提供一个芯片，所述芯片包括衬底；S2：从所述衬底的下表面向所述衬底的上表面形成多个间隔排列的沟槽，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度；S3：向所述沟槽内通入混合气体热退火形成第一金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑琼如，
申请(专利权)人：盛世瑶兰深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44