一种半导体器件的制造方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述半导体衬底表面沉积第一氮化物层；在所述第一氮化物层表面形成氧化层。采用本发明专利技术的方法，在沉积的第一氮化物层表面形成氧化层，氧化层中的部分氧原子会扩散到第一氮化物层中，代替第一氮化物层中的氢键，从而抑制轻掺杂漏离子注入区的杂质离子的扩散，改善掺杂剂量的损失，进而提高载流子迁移率，降低电阻，改善短沟道效应，提高半导体器件良率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件集成度的持续增加以及与这些器件相关的临界尺寸的持续减小，特别是进行到28nm及其以下技术节点，半导体器件由于极短沟道而凸显了各种不利的物理效应，特别是短沟道效应(ShortChannelEffect，SCE)，使得器件性能和可靠性退化，限制了特征尺寸的进一步缩小。目前，主要是通过应力层(Stress)工艺、预非晶化注入工艺等工艺，对轻掺杂工艺(LightlyDopedDrain，LDD)进行优化，以提高载流子迁移率和工作电流，改善器件的短沟道效应，从而提高器件的性能。然而在现有技术中，存在注入的杂质离子的掺杂剂量损失的问题，即检测到的掺杂剂量明显小于理论掺杂剂量，这会导致激活的杂质离子减少，降低载流子的迁移率，进而使电阻升高，进一步带来驱动电流降低和阈值电压升高的问题，短沟道效应不能得到有效抑制，进而导致半导体器件性能的降低。本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
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技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述半导体衬底表面沉积第一氮化物层；在所述第一氮化物层表面形成氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述半导体衬底表面沉积第一氮化物层；在所述第一氮化物层表面形成氧化层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层包括氮氧化硅。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的形成工艺包括沉积工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成氧化层的步骤之后，所述方法还包括实施第二退火工艺的步骤。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二退火工艺包括快速热氧化工艺。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氮化物层包括氮化硅。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述实施第二退火工艺的步骤后，所述方法还包括在所述氧化层表面沉积第二氮化物层的步骤。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二氮化物层包括氮化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沉积第一氮化物层的步骤后，在所述形成氧化层的步骤前，所述方法还包括在所述第一氮化物层表面注入离子的步骤。10.根据权利要求9...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31