一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法技术

本发明专利技术提供了一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，属于集成电路技术领域。所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法包括：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。该工艺方法能够使VDMOS功率器件的沟道区电阻大大降低，降低VDMOS功率器件在单粒子辐照条件下的寄生三极管导通可能性，提高了可靠性；并且加工工艺简单，可控性强，具有很强的可操作性。

【技术实现步骤摘要】
一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法。
技术介绍
单粒子辐照效应对超大规模集成电路(VeryLargeScaleIntegratedCircuit，VLSI)、CMOS电路器件、功率VDMOS功率器件器件具有较大影响，能够干扰器件和电路的正常工作。单粒子辐照能够对器件造成硬损伤，可能会就此造成器件永久失效。当单粒子入射在VDMOS器件的源极有源区时，可能导致器件的寄生晶体三极管(由源极有源区、p-body区和外延层形成)开启，使VDMOS器件失去栅开关功能，进一步可能形成正反馈，导致器件的烧毁，称为单粒子烧毁(SEB)现象。在VDMOS功率器件的制作工艺中，需要一个较浓的电阻率做衬底材料片，在衬底材料片上进行硅外延所需的电阻率和厚度，完成后进行VDMOS功率器件制作。器件制作工艺通常是要生成场氧（SiO2）后，进行场氧腐蚀，完成有源区的隔离。在有源区上进行P型杂质注入，形成阱（Pwell）、器件的沟道区域和耐压的隔离，进行N型杂质注入，形成源端接触（N+），接着进行P型杂质的注入，形成体接触(P+)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。

【技术特征摘要】
1.一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：对器件的沟道区域注入光刻，形成LDD光罩的图形；按照LDD光罩的图形注入P型杂质，进行高温退火激活处理。2.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，所述P型杂质的注入剂量为1E14~1E15cm-2，能量为50-70Kev。3.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在对器件的沟道区域注入光刻前，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上生长出外延硅层；进行P型杂质注入，注入剂量为5E12~5E13cm-2，能量为50-80Kev，并进行高温退火处理形成P阱。4.如权利要求1所述的制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法，其特征在于，在进行高温退火激活处理后，所述制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法还包括：按照N+/P+光罩的图形，分别形成源端和体接触的图形；按照P+光罩图形注入P型杂质，注入剂量为5E14~5E15cm-2，能量为50-100Kev，并进行高温退火处理形成P+体接触端；按照N+光罩图形注入N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱，李燕妃，吴素贞，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32