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本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。