半导体器件及其制造方法技术

本申请提出了一种半导体器件及其制造方法,包括：在第一衬底上依次生长缓冲层和势垒层；在所述势垒层上生长源极、漏极和第一栅极，形成第一结构；在所述第一结构上生长介质层；将所述介质层与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，形成第二结构；将所述第二结构倒置，并对所述缓冲层进行减薄处理；在减薄后的缓冲层上生长第二栅极。本申请所提出的半导体器件及其制造方法，减小了背栅与二维电子气之间的距离，增强对沟道的控制能力；并且可以将低成本，高质量的外延薄膜转移到高导热性衬底上以满足功率器件对散热的要求；或者将外延薄膜从难以做背通孔工艺的衬底转移到易于做该工艺的衬底上，满足微波器件对接地的要求。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体材料具有许多优良的特性，如高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于化合物半导体的高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结构场效应晶体管(HFET)等器件已经得到了广泛应用，尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。背栅结构的化合物半导体是在传统的源、漏、栅三极化合物半导体的基础上，在导电沟道的背面增加一个栅极，此栅极通常被称为背栅。在两个栅极的同时控制下，导电沟道可以被很好的控制，从而降低漏电或者增加对沟道电流的调制能力。但是，在化合物半导体领域，一直没有合适的工艺来实现背栅结构，仅有的学术文献报道采用的是各向异性的深硅刻蚀来局部去除衬底，但这种方法仅仅适用于硅基的氮化镓器件，而且制造的背栅结构距离导电沟道太远，对沟道的控制作用较弱。
技术实现思路
基于此，有必要针对背栅对沟道控制作用较弱的问题，提供一种新的器件结构及其制造方法。本申请提出了一种半导体器件制造方法,包括：在第一衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在第一衬底上依次生长缓冲层和势垒层；在所述势垒层上生长源极、漏极和第一栅极，形成第一结构；在所述第一结构上生长介质层；将所述介质层与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，形成第二结构；将所述第二结构倒置，并对所述缓冲层进行减薄处理；在减薄后的缓冲层上生长第二栅极。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在第一衬底上依次生长缓冲层和势垒层；在所述势垒层上生长源极、漏极和第一栅极，形成第一结构；在所述第一结构上生长介质层；将所述介质层与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，形成第二结构；将所述第二结构倒置，并对所述缓冲层进行减薄处理；在减薄后的缓冲层上生长第二栅极。2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，对所述缓冲层进行减薄处理之后，生长第二栅极之前，在所述减薄后的缓冲层上生长介电层。3.根据权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：范谦，倪贤锋，何伟，
申请(专利权)人：苏州汉骅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32