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本申请提出了一种半导体器件及其制造方法,包括：在第一衬底上依次生长缓冲层和势垒层；在所述势垒层上生长源极、漏极和第一栅极，形成第一结构；在所述第一结构上生长介质层；将所述介质层与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，形成第二结构；将所述第二结构...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

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