一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法及其产品技术

本发明专利技术提供一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法，包括以下步骤：(1)镭射钻孔；(2)孔内金属化；(3)干膜压合；(4)干膜紫外线曝光；(5)干膜显影；(6)电镀铜；(7)干膜剥离；(8)蚀刻基材铜层；(9)蚀刻金属Ni/Cr层。本发明专利技术还提供了该制作方法得到的产品。本发明专利技术采用半加成法工艺，使用高精度的玻璃底片和高附着力高解析度的干膜能制作出铜厚度10微米左右和线宽/线距达到7微米/7微米的COF柔性双面基板精细线路。

【技术实现步骤摘要】
一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法及其产品
本专利技术涉及一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法及其产品。
技术介绍
COF(Chiponfilm,薄膜覆晶技术)，是将芯片贴装在柔性薄膜基材上，实现芯片I/O的输出，被广泛应用于手机、电视、ipad等电子产品的面板上。目前掌握COF柔性基板生产技术和具备大规模量产条件的企业大多集中在韩国、日本和中国台湾，大陆个别企业具备使用蚀刻法制作单面COF柔性基板的生产能力，但最小线宽/线距未达到10微米/10微米左右的级别。随着面板行业OLED的兴起，对COF柔性基板的需求量会越来越大。COF柔性基板的难点在于线宽/线距小，目前日韩和中国台湾企业能量产的双面COF柔性基板最小线宽/线距已经达到10微米/10微米左右，因此大陆企业急需提升COF精细线路的技术能力。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法，采用半加成法工艺，使用高精度的玻璃底片和高附着力高解析度的干膜能制作出铜厚度10微米左右和线宽/线距达到7微米/7微米的COF柔性双面基板精细线路。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)镭射钻孔：在聚酰亚胺中间层的上表面设置上金属Ni/Cr层，在聚酰亚胺中间层的下表面设置下金属Ni/Cr层，在上金属Ni/Cr层的上表面设置上铜层，在下金属Ni/Cr层的下表面设置下铜层制成基材，在基材上镭射出贯穿整个基材的通孔，上铜层和下铜层的厚度均为0.5或1微米；(2)孔内金属化：在通孔的内壁上沉积导电膜层；(3)干膜压合：通过真空压合在上铜层的上表面压合形成上干膜，在下铜层的下表面压合形成下干膜；(4)干膜紫外线曝光：使用紫外线对上、下干膜分别进行部分照射，上、下干膜上被紫外线照射过的部分发生聚合交联形成上、下...

【技术特征摘要】
1.一种COF双面柔性基板精细线路的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)镭射钻孔：在聚酰亚胺中间层的上表面设置上金属Ni/Cr层，在聚酰亚胺中间层的下表面设置下金属Ni/Cr层，在上金属Ni/Cr层的上表面设置上铜层，在下金属Ni/Cr层的下表面设置下铜层制成基材，在基材上镭射出贯穿整个基材的通孔，上铜层和下铜层的厚度均为0.5或1微米；(2)孔内金属化：在通孔的内壁上沉积导电膜层；(3)干膜压合：通过真空压合在上铜层的上表面压合形成上干膜，在下铜层的下表面压合形成下干膜；(4)干膜紫外线曝光：使用紫外线对上、下干膜分别进行部分照射，上、下干膜上被紫外线照射过的部分发生聚合交联形成上、下干膜曝光部分，上、下干膜上剩下的部分为上、下干膜未曝光部分，上、下干膜曝光部分和上、下干膜未曝光部分均有多个且在X方向一一间隔，每个上、下干膜曝光部分的X向尺寸均为4-7微米，每个上、下干膜未曝光部分的X向尺寸均为8-10微米；(5)干膜显影：将上、下干膜未曝光部分去除并露出部分上、下铜层；(6)电镀铜：对经过步骤(5)后露出的部分上、下铜层进行电镀形成铜电镀层，铜电镀层的上表面与上铜层的下表面之间的距离和铜电镀层的下表面与下铜层的上表面之间的距离均为12微米；(7)干膜剥离：将所有上、下干膜曝光部分去除；(8)蚀刻基材铜层：将经过步骤(7)处理后的基材上位于上干膜曝光部分下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘清，万克宝，张俊杰，
申请(专利权)人：盐城维信电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32