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一种用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备方法技术

技术编号:19826688 阅读:34 留言:0更新日期:2018-12-19 16:31
本发明专利技术公开了一种用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于,首先采用乙烯基三甲氧基硅烷对气敏陶瓷粉体进行表面处理;第二步,采用去离子水,丙烯酰胺,N,N‑亚甲基双丙烯酰胺,聚丙烯酸铵配置预混合溶液;然后,在反应器中,按质量百分比加入,预处理气敏陶瓷粉体:30%~35%,预混合溶液:65%~70%,各组分之和为百分之百,强力搅拌160~180min,喷雾干燥,得到用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体。采用喷洒引发剂和催化剂进行3D成型。该材料在三维印刷3D打印机上可直接成型,球形度高,流动性好,成型精度高,而且具有制备工艺简单,条件易于控制,生产成本低,易于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备方法
本专利技术涉及一种用于三维印刷(3DP)工艺快速成型粉体材料的制备方法,属于快速成型的材料领域,特别涉及一种用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备方法。
技术介绍
气敏陶瓷,亦称气敏半导体是用于吸收某种气体后电阻率发生变化的一种功能陶瓷。它是用二氧化锡等材料经压制烧结而成的,对许多气体反映十分灵敏,可应用于气敏检漏仪等装置进行自动报警。在生活中,它是应用越来越多,可保障人们的生命财产。半导体气敏陶瓷的导电机理主要有能级生成理论和接触粒界势垒理论。按能级生成理论,当SnO2、ZnO等N型半导体陶瓷表面吸附还原性气体时,气体将电子给予半导体,并以正电荷与半导体相吸,而进入N型半导体内的电子又束缚少数载流子空穴,使空穴与电子的复合率降低,增大电子形成电流的能力,使陶瓷电阻值下降;当N型半导体陶瓷表面吸附氧化性气体时,气体将其空穴给予半导体,并以负离子形式与半导体相吸,而进入N型半导体内的空穴使半导体内的电子数减少,因而陶瓷电阻值增大。接触粒界势垒理论则依据多晶半导体能带模型,在多晶界面存在势垒,当界面存在氧化性气体时势垒增加,存在还原性气体时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于,该方法具有以下工艺步骤:(1)气敏陶瓷粉体预处理:在球磨机中,按质量百分比加入,气敏陶瓷粉体:98.5%~99.5%,乙烯基三甲氧基硅烷:0.5%~1.5%,各组分之和为百分之百,开启磨机,研磨4‑6h,干燥,得到预处理气敏陶瓷粉体;(2)预混合溶液配制:在反应器中,按质量百分浓度加入,去离子水:91%~95%,丙烯酰胺:4%~7%,N,N‑亚甲基双丙烯酰胺:0.2%~1.0%,聚丙烯酸铵:0.4%~1.2%,各组分之和为百分之百,搅拌溶解,用氨水调节pH在8.0左右,得到预混合溶液;(3)用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备:...

【技术特征摘要】
1.一种用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备方法,其特征在于,该方法具有以下工艺步骤:(1)气敏陶瓷粉体预处理:在球磨机中,按质量百分比加入,气敏陶瓷粉体:98.5%~99.5%,乙烯基三甲氧基硅烷:0.5%~1.5%,各组分之和为百分之百,开启磨机,研磨4-6h,干燥,得到预处理气敏陶瓷粉体;(2)预混合溶液配制:在反应器中,按质量百分浓度加入,去离子水:91%~95%,丙烯酰胺:4%~7%,N,N-亚甲基双丙烯酰胺:0.2%~1.0%,聚丙烯酸铵:0.4%~1.2%,各组分之和为百分之百,搅拌溶解,用氨水调节pH在8.0左右,得到预混合溶液;(3)用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体的制备:在反应器中,按质量百分比加入,预处理气敏陶瓷粉体:30%~35%,预混合溶液:65%~70%,各组分之和为百分之百,强力搅拌160~180min,喷雾干燥,得到用于三维印刷成型工艺气敏陶瓷粉体,其粒径在120~150µm范围内。2.根据权利要求1所述的一种用...

【专利技术属性】
技术研发人员:李慧芝李冬梅张为民
申请(专利权)人:济南大学
类型:发明
国别省市:山东,37

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