用于ADS显示模式的阵列基板及其制作方法和应用技术

本发明专利技术提供了用于ADS显示模式的阵列基板及其制作方法和应用。阵列基板包括在基板上同侧设置的数据线、第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极和第二像素电极同层间隔设置，所述阵列基板还包括：仅覆盖在数据线的顶壁的外表面和数据线的侧壁的外表面上的遮光层。由此，在数据线的顶壁的外表面和数据线的侧壁的外表面上设置遮光层，当该阵列基板应用于显示装置时，可以减少数据线外表面对应的液晶盒中的液晶，进而减少数据线处的漏光量；再者，数据线与像素电极之间形成的电场被遮光层屏蔽，使其不会影响到液晶分子，进而减少漏光量。

【技术实现步骤摘要】
用于ADS显示模式的阵列基板及其制作方法和应用
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及用于ADS显示模式的阵列基板及其制作方法和应用。
技术介绍
随着市场和客户发展需求，市场对显示装置的要求越来越高，为了满足现有产品设计需求，对显示装置(比如电视(TV))产品的分辨率的要求越来越高，但随着显示装置的分辨率的提高，会其光透过率就越来越低，相对市场主流VA、IPS和ADS三种显示模式，ADS显示模式的显示装置的光透过率要比VA模式和IPS模式低，为了提升ADS模式的显示装置的竞争力，其透过率有待提升。由此，关于ADS显示模式的显示装置有待深入研究。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种用于ADS显示模式的阵列基板，该阵列基板稳定性好，其中的薄膜晶体管特性佳，使用该阵列基板的显示装置漏光少，光透过率高，或市场竞争力强。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种用于ADS显示模式的阵列基板，所述阵列基板包括基板上同侧设置的数据线、第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极同层间隔设置。根据本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于ADS显示模式的阵列基板，包括基板上同侧设置的数据线、第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极同层间隔设置，其特征在于，还包括：仅覆盖在所述数据线的顶壁的外表面和所述数据线的侧壁的外表面上的遮光层。

【技术特征摘要】
1.一种用于ADS显示模式的阵列基板，包括基板上同侧设置的数据线、第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极同层间隔设置，其特征在于，还包括：仅覆盖在所述数据线的顶壁的外表面和所述数据线的侧壁的外表面上的遮光层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线顶壁的外表面上的所述遮光层的厚度大于或等于2.8微米。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的侧壁和所述遮光层的底壁之间的夹角大于或等于45度，且小于或等于90°。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻的所述遮光层的侧壁和所述遮光层的底壁的相交线与所述数据线的侧壁和所述数据线的底壁的相交线之间的距离大于或等于4.2微米。5.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影之间有第一间隙，所述第二像素电极在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影之间有第二间隙，且所述第一间隙和所述第二间隙的距离均小于或等于1微米。6.根据权利要求1～4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影有重叠区域，所述第二像素电极在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影有重叠区域。7.根据权利要求1～4...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄华，严允晟，舒适，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11