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一种用于激光击穿光谱的自吸收效应修正方法技术

技术编号:19816718 阅读:59 留言:0更新日期:2018-12-19 13:01
一种用于修正激光诱导击穿光谱中自吸收效应的方法,其特点在于以黑体辐射强度作为参考进行修正。首先设定变量F和T分别表示收光系统的收集效率参数和等离子体温度初值,并根据F和T计算黑体辐射强度,然后以黑体辐射强度作为参考进行初步的自吸收修正并得到光谱,根据初步修正后的光谱计算元素各条谱线的强度,然后使用玻尔兹曼平面法进行线性拟合,得出拟合直线的斜率和线性相关系数,不断调整F和T的取值直至其满足特定代数关系。该方法对激光击穿光谱技术中的硬件没有额外要求,对于样品类型、样品中所含元素等也没有特殊要求,可适用于几乎所有的光谱;使用修正后的光谱可以有效提高激光击穿光谱技术的测量精度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于激光击穿光谱的自吸收效应修正方法
本专利技术涉及一种用于激光击穿光谱的自吸收效应修正方法,属于等离子体发射光谱及光谱技术测量

技术介绍
等离子体的发射光谱是一种用于元素分析的重要方法。等离子体发出的光带有样品中元素的信息,对其光谱进行分析可以对样品成分进行定量分析,基于这个原理,许多发射光谱技术应运而生,例如激光击穿光谱(LIBS)等。近年来,LIBS技术由于具有高灵敏度、无需样品预处理和实现多元素测量等优点,在许多领域都获得了广泛的应用,然而其测量精度仍有待进一步提高。对等离子体光谱进行分析可以发现,在许多情况下,等离子体发射的光谱被其本身所吸收,导致等离子体光谱谱线强度变弱,谱线形状失真等,这被称为自吸收效应。自吸收效应来源于等离子中原子和光的相互作用,是不可避免必然存在的,然而其程度难以界定;自吸收效应会影响激光击穿光谱技术的测量精度,应予以修正。目前,在一些国际期刊上已有一些自吸收修正的方法的文献报道,然而这些方法都难以进行应用:有的方法只能对个别谱线进行修正,有的方法仅仅适用于个别样品。目前尚未有普遍适用的自吸收修正方法。
技术实现思路
专利技术的目的是提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于修正激光诱导击穿光谱中自吸收效应的方法,其特征在于包含以下步骤:1)对待测样品进行激光击穿光谱实验,记录激光击穿光谱实验得到的原始光谱数据P(λ),设定变量F和T分别表示收光系统的收集效率参数和等离子体温度;2)根据F和T计算黑体辐射强度L(λ,F,T),公式为:

【技术特征摘要】
1.一种用于修正激光诱导击穿光谱中自吸收效应的方法,其特征在于包含以下步骤:1)对待测样品进行激光击穿光谱实验,记录激光击穿光谱实验得到的原始光谱数据P(λ),设定变量F和T分别表示收光系统的收集效率参数和等离子体温度;2)根据F和T计算黑体辐射强度L(λ,F,T),公式为:其中,c为光速,h为普朗克常数,k为玻尔兹曼常数,λ为波长;3)根据黑体辐射强度L(λ,F,T),计算初步修正后的光谱Q(λ,F,T),公式为:4)选取待测样品中任一元素,根据Q(λ,F,T)使用谱线积分法...

【专利技术属性】
技术研发人员:王哲侯宗余李天奇
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:北京,11

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